[发明专利]无机发光材料、涂敷用无机发光材料组合物、制备无机发光材料的方法和发光器件

说明书

技术领域

实施方案涉及无机发光材料、涂敷用无机发光材料组合物、制备无机 发光材料的方法和发光器件。

背景技术

近来，全世界在积极地开发和制造氮化镓(GaN)基白色发光二极管 (LED)。在这样的GaN基白色LED中，同时点亮蓝色、绿色和红色LED 芯片，然后调节LED芯片的亮度使得可实现可变的混色由此表现为白色， 或者在调节蓝色和黄色(或橙色)LED芯片亮度的同时，同时点亮蓝色和 黄色(或橙色)LED芯片。

然而，在上述两种多芯片型白光LED制造方法中，LED芯片具有不 同的操作电压，并且根据可根据室温改变的LED芯片的输出来改变彩色 坐标(color coordinates)。

作为另外的方法，可以在蓝色或近UV(ultra violet(紫外))LED芯 片上涂敷无机发光材料以制造白色LED。

与多芯片型白光LED制造方法相比，在通过涂敷无机发光材料制造白 光LED的上述方法中，制造工艺更简单和经济，并且通过使用蓝色、绿 色和红色无机发光材料的三种颜色的可变的混色来更简单地制造具有期 望颜色的光源。

然而，在涂敷无机发光材料的方法中，通过无机发光材料将由发光器 件发出的一次光变为二次光，使得使用无机发光材料的光源可根据无机发 光材料的性能和应用方案改变亮度、相关色温(CCT)和显色指数(CRI)。

近来，大多数白光LED已经根据发出波长为约460nm的蓝色光的 (In)GaN LED和发出黄色光的钇铝石榴石(YAG)Ce³⁺无机发光材料的 组合来制造。

然而，由于常规的(In)GaN LED发出具有窄频带的蓝色激发光，所 以难以开发显示各种颜色的发光器件，并且白光可以根据蓝色光的波长严 重改变。此外在UV激发光中发光效率可能过度降低。

发明内容

技术问题

本发明的一些实施方案提供新型无机发光材料、无机发光材料组合物、 制备无机发光材料的方法、和使用无机发光材料的发光器件。

本发明的一些实施方案提供无机发光材料、无机发光材料组合物和使 用该无机发光材料以及无机发光材料组合物的发光器件，以及制备能够显 示不同颜色的具有高色温和高CRI的无机发光材料的方法。

技术方案

根据本发明的一个实施方案，硅酸盐基无机发光材料用以下化学式表 示：(4-x-y-z)SrO·xBaO·zCaO·aMgO·2(SiO₂)·bM₂O₃:yEu，其中M是Y、 Ce、La、Nd、Gd、Tb、Yb或Lu中至少一种，其中0<x≤3.95，0<y≤1， 0≤z<3.95，x+y+z<4，0<a<2，并且0<b<1。

根据本发明的一个实施方案，通过混合硅酸盐基第一无机发光材料和 石榴石(garnet)基无机发光材料获得无机发光材料，所述硅酸盐基第一 无机发光材料用以下化学式表示： (4-x-y-z)SrO·xBaO·zCaO·aMgO·2(SiO₂)·bM₂O₃:yEu(M是Y、Ce、La、 Nd、Gd、Tb、Yb或Lu中的至少一种，0<x≤3.95，0<y≤1，0≤z<3.95，x+y+z<4， 0<a<2，并且0<b<1)。

根据本发明的一个实施方案，通过混合硅酸盐基第一无机发光材料和 氮化物基无机发光材料获得无机发光材料，所述硅酸盐基第一无机发光材 料用以下化学式表示：(4-x-y-z)SrO·xBaO·zCaO·aMgO·2(SiO₂)·bM₂O₃:yEu (M是Y、Ce、La、Nd、Gd、Tb、Yb或Lu中的至少一种，0<x≤3.95， 0<y≤1，0≤z<3.95，x+y+z<4，0<a<2，并且0<b<1)。