[发明专利]带透明电极的玻璃基板及其制造方法有效
申请号: | 200780017459.0 | 申请日: | 2007-05-11 |
公开(公告)号: | CN101443858A | 公开(公告)日: | 2009-05-27 |
发明(设计)人: | 岸政洋 | 申请(专利权)人: | 旭硝子株式会社 |
主分类号: | H01B13/00 | 分类号: | H01B13/00;C03C15/00;H01J9/02;H01J11/02;H01S3/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 范 征 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 透明 电极 玻璃 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及带透明电极的玻璃基板及其制造方法。
背景技术
以往,计算机、信息化家电、各种显示装置等使用将由金属氧化物等形成的透明导电膜图案化而获得的带透明电极的玻璃基板。
作为制造该带透明电极的玻璃基板的方法,以往主要采用光刻·浸蚀法或剥离(lift-off)法,但是,近年提出了生产性、环境适应性等更好的激光图案化的方法(参照专利文献1~3)。
该激光图案化的方法是用激光对形成于基板上的抗蚀层及金属薄膜层等进行加工及剥离的方法。该激光图案化的方法也有数种,其中,从环境方面及可减少工序的成本方面等考虑,特好的是介以具有所希望的开口部的掩模对形成于基板上的由金属等构成的薄膜直接照射激光,除去该薄膜的一部分,在基板上形成所希望的图案的方法。该方法也被称为直接图案形成法。
但是,该直接图案形成法以完全除去透明导电膜的一部分为目的而照射高能量密度的激光时,即使可完全除去透明导电膜的一部分,但也会出现对玻璃基板的负荷提高、在其表面生成瑕疵的情况。此外,如果能量密度提高,则生产节拍很难提高,存在生产效率下降的倾向。
如果对应于此而照射低能量密度的激光,则存在透明导电膜的照射了激光的部分无法完全除去而残存于玻璃基板上的所谓的膜残留的问题。此时,由于形成于玻璃基板上的透明电极中电流没有合乎标准地流过,因此所形成的带透明电极的玻璃基板未发挥出所希望的特性。
例如,将通过直接图案形成法在玻璃基板上由透明导电膜形成了透明电极的基板作为等离子显示屏(以下也称为PDP)的前基板使用时,如果所照射的激光的能量密度过低,薄膜的照射了激光的部分未被完全除去,玻璃基板上有膜残留,则等离子体未在合适的地方放电,因此作为PDP前基板很难发挥所希望的性能。
用图对这点进行说明。
PDP具有如图2所示的由透明的前基板1及背基板2形成的结构。前基板1上具备由透明导电膜形成的显示电极5a及5b、汇流电极6及黑色条纹4,该显示电极5a及5b用于在形成图像的像素产生等离子体放电,背基板2具备地址电极2。此外,为了确保显示电极5a及5b和地址电极7间的绝缘,使等离子体稳定产生,且为了防止电极被等离子体腐蚀,前基板1还具备电介质层8及MgO抗蚀层9。具有该结构的PDP中,利用在对向的透明前基板1及背基板2之间形成的隔壁3划分出单元(cell,空间),在单元内封入可见光发光少、紫外线发光效率高的He+He、Ne+Xe等彭宁(Penning)混合气体。然后,使显示电极5a及5b间发生等离子体放电,使单元内壁的荧光体层10发光,在显示画面上形成图像(参照专利文献4、非专利文献1及非专利文献2)。
因此,对形成于透明的前基板1上的透明导电膜照射激光而获得的显示电极5a及5b,如果在它们之间的前基板1上(照射激光除去了透明导电膜而露出的前基板的表面部分)有膜残留,则显示电极5a及显示电极5b间通电,很难发生等离子体放电,因此作为PDP前基板很难发挥所希望的性能。
照射能量密度高的激光,除去透明导电膜直至产生等离子体放电所需的足够的程度的情况下,可能会在玻璃基板表面产生瑕疵。
此外,进行激光图案化时,为了除去膜,必须使激光或玻璃基板扫描来实施。这种情况下,由于存在激光的若干的摇摆或玻璃基板的错位,因此会发生玻璃基板的被照射位置若干偏移,产生膜残留。所以,为了防止膜残留,激光的照射位置必须部分重叠(参照专利文献6、7)。采用该方法进行激光图案化时,在激光重合的部分产生阶差,在该部分与其以外的部分之间出现放电特性的不同。作为对策,提出了在对放电特性影响小的地方配置激光的重合部分的设计等(参照专利文献2、6、7)。但是,该方法中设计受到限制,因此无法实施在由激光输出算出的有效条件下的激光图案化。
如上所述,利用直接图案形成法制造带透明电极的玻璃基板时,不论所用的激光能量密度是高还是低都会产生问题,很难获得所希望的性能。
这里,作为其对策,考虑采用照射低能量密度的激光,用刻蚀液对膜残留部分进行刻蚀的方法。
例如,提出了在太阳能电池制造等过程中,对薄膜照射激光后用薄膜用刻蚀液进行刻蚀处理,藉此消除膜残留的方法(参照专利文献5)。
专利文献1:日本专利特开2001-60432号公报
专利文献2:日本专利特开2005-108668号公报
专利文献3:日本专利特开2005-135802号公报
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