[发明专利]功率金属氧化物半导体场效应晶体管触点金属化

说明书

相关美国申请

本申请要求序列号为60/799,868、代理卷号为VISH-8734.PRO、名称为 “功率MOSFET触点金属化”的同时另案待审的临时专利申请的优先权， 其提交日期为2006年5月12日，已被转让给本申请的受让人，并且其全部 内容结合在本文中作为参考。

技术领域

根据本文的实施例总体上涉及半导体器件，尤其涉及功率金属氧化物半 导体场效应晶体管(功率MOSFET)。

背景技术

照相平版印刷术通常用于制造半导体器件。在照相平版印刷术中，来自 掩模(mask)的图案转印到一个表面。光直接穿过掩模并聚焦在该表面上。由 于半导体器件的功能部件变得越来越小，较好的聚焦变得更加重要。

发明内容

一种便于利用照相平版印刷术制造具有小的部件的半导体器件的方法 和/或系统会是有利的。根据本发明的实施例提供这种以及其它优势。

在一个实施例中，一种结构优选地包括形成在基板中的半导体器件；邻 接于半导体器件的绝缘体；电耦合于半导体器件的电触点，其中，电触点优 选地包括钨；以及，耦合于电触点的电连接器，其中，电连接器优选地包括 铝。

在一个实施例中，绝缘体表面和电触点表面优选地形成基本上平坦的表 面。在照相平版印刷期间，基本上平坦的表面改善了聚焦，使得较小尺寸的 部件可被形成在表面上。

本申请支持以下概念：

概念1.一种制造包括半导体器件的结构的方法，该方法包括：

在包括绝缘体和邻接于该绝缘体的接触区的不平坦的表面上沉积第一 金属化层；以及

蚀刻该第一金属化层，以在接触区中形成电触点，其中，绝缘体的表面 和电触点的表面形成基本平齐的表面。

概念2.如概念1所述的方法，其中，第一金属化层包括钨。

概念3.如概念1所述的方法，其中，第一金属化层是利用化学气相 沉积法沉积的。

概念4.如概念1所述的方法，其中，半导体器件包括功率金属氧化 物半导体场效应晶体管。

概念5.如概念1所述的方法，进一步包括，在沉积第一金属化层之 前，在不平坦的表面上沉积阻挡层。

概念6.如概念1所述的方法，进一步包括，在上述蚀刻步骤之后， 在基本平齐的表面上沉积阻挡层。

概念7.如概念1所述的方法，进一步包括：

在上述蚀刻步骤之后，沉积第二金属化层；以及

蚀刻该第二金属化层，以形成耦合于电触点的电连接器。

概念8.如概念7所述的方法，其中，第二金属化层包括铝。

概念9.一种结构，包括：

形成在基板中的半导体器件；

耦合于该半导体器件的绝缘体；以及

耦合于该绝缘体的电触点，其中，该绝缘体的表面和该电触点的表面形 成基本平坦的表面。

概念10.如概念9所述的结构，其中，半导体器件包括功率金属氧化物 半导体场效应晶体管。

概念11.如概念9所述的结构，其中，电触点包括钨。

概念12.如概念9所述的结构，进一步包括耦合于电触点的电连接器。

概念13.如概念9所述的结构，其中，电连接器包括铝。

概念14.如概念9所述的结构，其中，电触点的尺寸在大约0.35-0.50 微米的范围内。

概念15.一种结构，包括：

形成在基板中的半导体器件；

耦合于该半导体器件的绝缘体；

电耦合于该半导体器件的电触点，其中，该电触点包括钨；以及

耦合于该电触点的电连接器，其中，电连接器包括铝。

概念16.如概念15所述的结构，其中，半导体器件包括功率金属氧化 物半导体场效应晶体管。

概念17.如概念15所述的结构，其中，电触点的尺寸在大约0.35-0.50 微米的范围内。

概念18.如概念15所述的结构，其中，绝缘体的表面和电触点的表面 形成基本平坦的表面。

概念19.如概念15所述的结构，其中，电触点是不延伸入基板的平面 触点。

概念20.如概念15所述的结构，其中，电触点是延伸入基板的沟槽式 触点。