[发明专利]高功率集成射频放大器

权利要求书

1.一种集成RF放大器结构，包括：

-沿第一方向(FD)依次设置的以下元件：输入键合焊盘(IBP)、沿第一方向(FD)彼此偏移的多个单元(CE1，CE2)、以及输出键合焊盘(OBP)，其中所述单元(CE1，CE2)的每一个包括：放大器，所述放大器具有输入焊盘(GP1，GP2)；有源区(A1，A2)；以及输出焊盘(DP1，DP2)，所述有源区(A1，A2)被布置在输入焊盘(GP1，GP2)与输出焊盘(DP1，DP2)之间，其中，输入焊盘(GP1，GP2)、有源区(A1，A2)和输出焊盘(DP1，DP2)在垂直于第一方向(FD)的第二方向(SD)上彼此偏移，

-第一网络(N1)，包括：第一互连装置(Li，Ci；Li1，Li2，Ci1)，用于将多个单元(CE1，CE2)中的相邻单元的输入焊盘(GP1，GP2)相互连接，并沿第一方向(FD)延伸，以及

-第二网络(N2)，包括：第二互连装置(Lo，Co；Lo1，Lo2，Co1)，用于将多个单元(CE1，CE2)中的相邻单元的输出焊盘(DP1，DP2)相互连接，并沿第一方向(FD)延伸，

其中，第一网络(N1)和第二网络(N2)构造用于在输出键合焊盘(OBP)处获得输出信号(OS)，所述输出信号(OS)对于所有互连单元(CE1，CE2)，针对在输入键合焊盘(IBP)处的相同的输入信号，具有相等的相移和幅度。

2.根据权利要求1所述的集成RF放大器结构，其中所述第一互连装置(Li，Ci；Li1，Li2，Ci1)包括沿第一方向延伸的第一键合线(BW1)，所述第二互连装置(Lo，Co；Lo1，Lo2，Co1)包括也沿第一方向延伸的第二键合线(BW2)。

3.根据权利要求2所述的集成RF放大器结构，其中所述第一键合线(BW1)形成第一电感(Li)，其中所述第二键合线(BW2)形成第二电感(Lo)。

4.根据权利要求1所述的集成RF放大器结构，其中每一个包括放大器的单元(CE1，CE2)被布置在单独的管芯上。 

5.根据权利要求1所述的集成RF放大器结构，其中选择第一网络(N1)和第二网络(N2)的阻抗，以获得阻抗匹配。

6.根据权利要求2所述的集成RF放大器结构，其中第一键合线(BW)将相邻的包括放大器的单元(CE1，CE2)的输入焊盘(GP1，GP2)直接相互连接。

7.根据权利要求2所述的集成RF放大器结构，其中第二键合线(BW2)将相邻的包括放大器的单元(CE1，CE2)的输出焊盘(DP1，DP2)直接相互连接。

8.根据权利要求2所述的集成RF放大器结构，其中所述第一网络(N1)还包括与第一键合线(BW1)串联布置的电容器(Ci)，所述串联布置被布置在输入焊盘(GP1，GP2)之间，并且其中，将输入信号(IS)提供给输入焊盘(GP1)之一。

9.根据权利要求2所述的集成RF放大器结构，其中所述第一网络(N1)还包括与第一键合线(BW1)串联布置的电容器(Ci)，所述串联布置在输入焊盘(GP1，GP2)之间布置，所述电容器(Ci)被布置用于通过电容器(Ci)将输入信号(IS)提供给输入焊盘(GP1，GP2)。

10.根据权利要求6至9中任一项所述的集成RF放大器结构，还包括：分别连接到每一个输入焊盘(GP1，GP2)的电感器(L1，L2)与DC去耦合电容器(C1，C2)的第一和第二串联布置。

11.根据权利要求10所述的集成RF放大器结构，还包括：分别连接到每一个输出焊盘(DP1，DP2)的电感器(L3，L4)与DC去耦合电容器(C3，C4)的第三和第四串联布置。

12.根据权利要求11所述的集成RF放大器结构，其中电感器(L1，L2，L3，L4)由键合线形成或者是集成的。

13.根据权利要求1所述的集成RF放大器结构，其中在沿第一方向(FD)的每个位置处，单元(CE1，CE2)由一行放大器单元替换，以便沿第二方向依次获得：一行输入键合焊盘(IBP)、沿第一方向彼此偏移的多行单元(CE1，CE2)以及一行输出键合焊盘(OBP)，其中，将所有行相互平行地布置。