[发明专利]半导体设备的副产品收集装置

说明书

技术领域

本发明涉及副产品收集装置，其用于有效地收集在半导体制造过程中从处理室排出的废气中所包含的反应副产品。 

背景技术

通常，半导体制造过程分为预处理过程(制造过程)和后处理过程(装配过程)。预处理过程是指通过形成预定图案来制造半导体芯片的过程，该预定图案是通过重复进行如下过程而形成的：在各种处理室内在晶片上沉积薄膜，并选择性地蚀刻所沉积的薄膜。后处理过程是指通过将预处理过程中制造出来的芯片分离成独立的芯片，并将这些独立的芯片与引线框架(lead frame)结合，从而装配出完整产品的过程。关于这方面，在晶片上沉积薄膜或对沉积在晶片上的薄膜进行蚀刻的过程是在处理室内且在高温下使用诸如硅烷、砷化氢(arsine)和三氯化硼等有毒气体以及诸如氢气等处理气体而进行的。在预处理过程中，在处理室内会产生大量的各种易燃气体、腐蚀性杂质和包含有毒成分的有毒气体。 

因此，半导体制造设备包括净气器，该净气器位于用于在处理室内产生真空状态的真空泵的后端处。该净气器将从处理室排出的废气净化并将净化过的废气排出到大气中。然而，当从处理室排出的废气与大气接触或者环境温度很低时，废气便会固化并转变成粉末。该粉末粘附在排放管线上从而增加了排放压力，同时，当粉末进入真空泵时会导致真空泵失调，并导致废气的回流从而污染放置在处理室内的晶片。 

为解决此问题，如图14所示，在处理室1与真空泵2之间安装有用于将从处理室1排出的废气转变成粉末状的粉末捕获单元。也就是说，如图14所示，处理室1通过抽吸管线5与真空泵3连接。捕获管道7从抽吸管线5分枝出来，并用于捕获和积聚从处理室1产生的粉末形式的反应副产品。 

在传统的粉末捕获单元中，在处理室1内沉积或蚀刻薄膜时所产生 的未反应气体流向抽吸管线5，该抽吸管线5与处理室1相比具有相对较低的环境温度，因此上述未反应气体固化成粉末9，并积聚在从抽吸管线5分枝出来的捕获管道7中。 

然而，上述传统的粉末捕获单元具有如下问题。 

首先，由于在处理室中产生的反应副产品转变成粉末并积聚到捕获管道中需要很长时间，因此循环周期(TAT)也相应延长了。也就是说，直到在沉积或蚀刻薄膜时所产生的反应副产品快速地转变成粉末并积聚到捕获管道中之后，才会进行下一个薄膜沉积或蚀刻过程，但反应副产品转变成粉末需要很长时间。因此，直到所有的反应副产品被除掉后处理室才能进行下一个过程，并要待机很长时间。因此，不仅设备的工作速率降低，而且由于处理室的待机时间长而导致TAT延长。 

其次，由于用于积聚粉末的捕获管道的收集区域(空间)非常窄，因而必须频繁地除掉积聚在捕获管道中的粉末，这很不方便。特别地，由于粉末仅仅被集中并积聚在捕获管道的入口处，因而捕获管道的清洁周期很短。 

发明内容

要解决的技术问题

本发明提供一种能快速收集反应副产品的副产品收集装置。 

本发明还提供一种具有较长更换周期的副产品收集装置。 

技术方案

本发明的实施例提供了副产品收集装置，其包括：具有进气口和出气口的壳体；以及捕获模块，其安装在所述壳体内，并具有呈弯曲状或倾斜状从而引导废气以弯曲或倾斜方式流动的第一板，其中，所述捕获模块的第一板呈放射状设置，所述捕获模块还包括多个第二板，所述第二板安装在所述壳体内并被形成为引导废气以Z字形流动，所述捕获模块还包括：第一捕获部，所述第一板安装在所述第一捕获部中；以及第二捕获部，所述第二板安装在所述第二捕获部中，所述第二板按多阶设置且按预定间隔分隔开并具有多个开口，所述多个开口被设置为让废气 流过的通道。 

在其他实施例中，所述第二捕获部与所述第一捕获部相比被设置在邻近于所述出气口的位置处。 

在其他实施例中，所述第一板具有与所述壳体的内表面接触的外侧表面，并且在所述第一板的外侧表面上形成有切割部，从而让废气在所述壳体的内表面与所述第一板的外侧表面之间流动。 

在其他实施例中，在所述第一板上形成有多个通孔，并且所述通孔的尺寸随着所述通孔与所述进气口的距离变大而减小。 

在其他实施例中，所述捕获模块还包括：内筒，其具有让废气流过的内部通道，并且所述第一板和所述第二板被固定在所述内筒的外周上；以及第三捕获部，其安装在所述内筒的内部通道中，从而收集从所述内部通道中流过的废气的反应副产品。