[发明专利]抗静电有机硅离型涂覆膜

说明书

技术领域

本发明涉及抗静电有机硅离型膜，其具有以抗静电有机硅离型组合物涂 覆的层的，并且更具体而言，涉及抗静电有机硅离型膜，其具有以抗静电有 机硅离型组合物涂覆的层，且用于半导体、电子和显示装置，同时解决了当 将普通离型膜与粘合剂和粘合剂层分离时所产生的静电问题以及由这种直 接导致严重产品缺陷的静电引起的污染问题。本发明还涉及抗静电有机硅离 型膜，其可减少在将该膜从粘合剂或粘合剂层剥离时由静电引起的产品污 染，由于在固化离型层时没有阻碍而在基底与涂覆的层之间具有良好的粘附 性，并且由此具有稳定的离型性能。

背景技术

近来，半导体、电子和显示装置领域正在快速发展。在该领域中，越来 越多地使用合成树脂或合成纤维，导致麻烦的待解决的静电问题。通常，在 其主要目的为保护粘合剂层的离型膜领域中，已经使用越来越多的树脂或纤 维并需要用于该用途的抗静电性能。常规地，已经使粘合剂层抗静电以解决 由于在将离型膜与粘合剂层分离时产生的静电引起的污染问题。然而，如果 使粘合剂层抗静电，则由于抗静电剂不与粘合剂良好地相容，因此其未充分 表现出抗静电性能。因此，除了在许多情况中的粘合剂层之外，已经使离型 层抗静电。作为在用于精密材料领域的离型膜中所需的物理性能的离型性能 需要取决于粘合剂的类型和用途的适当的剥离力、为了通过离型层被转移到 粘合剂层而不降低粘附性的高的残余粘附性、离型层不被溶剂型粘合剂的有 机溶剂剥落的耐溶剂性，若离型膜用于光学用途的高的光透射性等。常规的 抗静电技术包括内部添加阴离子化合物如有机磺酸盐和有机磷酸盐、沉积金 属化合物、以导电无机颗粒涂覆、以低分子的阴离子或阳离子化合物涂覆、 以导电聚合物涂覆等。

一种已知的用上述抗静电技术生产抗静电离型膜的常规方法为在有机 硅组合物中包含金属，例如，锂、铜、镁、钙、铁、钴或镍等(见美国专利 公布No.4,764,565)。然而，上述方法在成本上不划算并且还具有在获得抗 静电性能上的限制：用该方法，阻碍用于光学用途的均匀涂覆的层的形成。

如果抗静电组合物具有导电聚合物、离子型聚合物等，其阻碍有机硅离 型涂覆组合物的固化，且难以形成离型涂覆层。抗静电层与有机硅层之间的 紧密粘合也恶化，使得有机硅被转移，不利地影响粘合剂的功能。因此，在 常规的抗静电离型膜的情况中，抗静电性能和离型性能两者可通过以下实 现：将抗静电组合物涂覆在基底上并干燥该膜，然后涂覆离型涂覆组合物， 或者首先将抗静电组合物涂覆在基底的一侧上，然后将离型组合物涂覆在该 基底的另一侧上。然而，由于这种形成常规抗静电离型膜的方法需要进行至 少两次的涂覆和干燥过程，因此需要许多处理时间和成本。

发明内容

技术问题

本发明的思想在于响应这种要求并解决现有技术中的问题。本发明的一 个目的在于提供良好的有机硅离型膜，使得该膜抗静电，当根据本发明的该 膜用作以在线或离线生产工艺生产的半导体、电子和显示装置的离型膜时， 减少在将该膜从粘合剂剥离时由于静电引起的产品污染。

本发明的另一目的在于提供一种非常好的具有以抗静电有机硅离型组 合物涂覆的层的抗静电有机硅离型膜(在下文中称为“抗静电有机硅离型 膜”)，通过实施涂覆工艺仅一次，使该抗静电有机硅离型膜充分地抗静电， 且该膜具有基底与涂覆的层之间的良好的粘附性，因为在离型组合物的固化 中没有阻碍。

从阅读说明本发明优选实施方式的以下描述，本发明的上述和其它目的 及优点将对本领域技术人员容易地显现。

有益效果

如上所述，如果根据本发明的抗静电有机硅离型膜通过在线或离线生产 工艺生产并用作半导体、电子和显示装置的离型膜，则有利的是，由于高水 平的抗静电性能，因此可减少由于当将该膜从粘合剂层剥离时的由静电引起 的产品污染。

根据本发明的抗静电有机硅离型膜表现出基底与涂覆的层之间非常好 的粘附性，因为在固化离型层时没有发生阻碍，由此本发明的膜由于稳定的 离型特性从而可适当地用于上述用途。

从阅读说明本发明优选实施方式的以下描述，本发明的上述和其它目的 及优点将对本领域技术人员容易地显现。

最佳模式

实现上述目的的根据本发明的抗静电有机硅离型膜的特征在于，其包括 聚酯膜和在该聚酯膜的至少一侧上以抗静电有机硅离型组合物涂覆至少一 次的层，其中该抗静电有机硅离型膜满足以下方程式1和2两者：