[发明专利]抗静电有机硅离型涂覆膜有效
| 申请号: | 200780013037.6 | 申请日: | 2007-09-05 |
| 公开(公告)号: | CN101421104A | 公开(公告)日: | 2009-04-29 |
| 发明(设计)人: | 尹宗郁;李政佑;李文馥;徐基奉;金相弼 | 申请(专利权)人: | 东丽世韩有限公司 |
| 主分类号: | B32B27/16 | 分类号: | B32B27/16 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 宋 莉 |
| 地址: | 韩国庆*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 抗静电 有机硅 离型涂覆膜 | ||
1.一种抗静电有机硅离型膜,其特征在于包括:
聚酯膜;和
在该聚酯膜的至少一侧上以抗静电有机硅离型组合物涂覆至少一次的 层,
其中该抗静电有机硅离型膜满足以下方程式1和2两者:
SR≤1012 (1),和
SAS≥80 (2)
其中“SR”是所述涂覆的层的表面电阻,以欧姆/平方计,且“SAS” 是所述涂覆的层的残余粘附性,以%计,
其特征在于该抗静电有机硅离型组合物包含有机聚硅氧烷、有机氢聚硅 氧烷、硅烷偶联剂、导电聚合物树脂和铂螯合物催化剂,和该抗静电有机硅 离型组合物中该导电聚合物树脂的量为0.05-0.5重量份,基于100重量份的 有机聚硅氧烷。
2.权利要求1的抗静电有机硅离型膜,其特征在于该抗静电有机硅离型 组合物中该导电聚合物树脂为聚噻吩或其衍生物,所述聚噻吩或其衍生物是 在聚阴离子中聚合的。
3.权利要求1的抗静电有机硅离型膜,其特征在于该抗静电有机硅离型 组合物中该硅烷偶联剂的量为0.05-1重量份,基于100重量份的有机聚硅氧 烷。
4.权利要求1-3中任一项的抗静电有机硅离型膜,其特征在于该抗静电 有机硅离型组合物包含1.2-5重量%的固体含量。
5.权利要求1-3中任一项的抗静电有机硅离型膜,其特征在于该抗静电 有机硅离型组合物中该有机氢聚硅氧烷具有0.5-1.2个结合到该有机氢聚硅 氧烷的硅原子上的氢原子,基于该有机聚硅氧烷的一个乙烯基。
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