[发明专利]场效应晶体管

权利要求书

1.一种场效应晶体管，其包括：

III-V族氮化物半导体层结构，其包含异质结；

彼此相间隔的源电极和漏电极，其形成在所述III-V族氮化物半导体层结构上；

栅电极，其布置在所述源电极和所述漏电极之间；以及

覆盖层，其提供在所述栅电极和所述漏电极之间的区域内或者在所述源电极和所述栅电极之间的区域内的所述III-V族氮化物半导体层结构之上并且与其接触，

其中，所述栅电极的一部分掩埋在所述III-V族氮化物半导体层结构内，并且

其中，所述III-V族氮化物半导体层与所述覆盖层的界面的栅电极一侧的端部与所述栅电极相间隔。

2.根据权利要求1的场效应晶体管，

其中，在所述III-V族氮化物半导体层结构内提供凹进部分，

其中，提供所述栅电极使其与所述凹进部分的底表面接触，并且

其中，在沿着栅极长度的剖视图内，在所述栅电极的侧表面和所述凹进部分的侧表面之间提供间隙。

3.根据权利要求2的场效应晶体管，

其中，在沿着栅极长度的剖视图内的所述间隙的长度大于0nm并且小于50nm。

4.根据权利要求1的场效应晶体管，

其中，提供所述覆盖层使其与所述栅电极的侧表面接触，并且

其中，在沿着栅极长度的剖视图内，在与所述覆盖层接触的区域下，所述III-V族氮化物半导体层结构的侧表面与所述栅电极相间隔。

5.根据权利要求1-4中任一项的场效应晶体管，

其中，所述III-V族氮化物半导体层结构包括电子移动层和提供在所述电子移动层上并且与其接触的电子提供层，并且

其中，提供所述源电极和所述漏电极使其与所述电子提供层接触，并且所述栅电极的一部分掩埋在所述电子提供层内。

6.根据权利要求5的场效应晶体管，

其中，所述电子移动层是氮化镓(GaN)层，并且所述电子提供层是氮化铝镓(AlGaN)层。

7.根据权利要求1-6中任一项的场效应晶体管，

其中，所述覆盖层是包含硅(Si)和氮(N)的绝缘膜。

8.根据权利要求1-6中任一项的场效应晶体管，

其中，所述覆盖层是包括绝缘膜的多层构件，所述绝缘膜包含硅(Si)和氮(N)。

9.根据权利要求8的场效应晶体管，

其中，所述多层构件由III-V族氮化物半导体层和所述绝缘膜构成，所述绝缘膜提供在所述III-V族氮化物半导体层结构上并且与其接触。

10.根据权利要求1-9中任一项的场效应晶体管，

其中，在所述III-V族氮化物半导体层结构内与所述栅电极接触的层内引起压缩应变。

11.根据权利要求1-10中任一项的场效应晶体管，

其中，所述覆盖层提供在所述栅电极的所述漏电极一侧的侧表面上并且与其接触，并且

其中，所述栅电极包括在所述覆盖层上形成的场板，所述场板向所述漏电极一侧突出以形成帽檐形的形状。