[发明专利]用于电荷平衡功率器件的外围设计

权利要求书

1.一种电荷平衡半导体功率器件，包括：

活性区域，包括以交替方式布置的第一导电型柱的条带 和第二导电型柱的条带以在其间形成PN结，所述第一导电型 柱的条带和所述第二导电型柱的条带沿所述活性区域的长度 延伸；以及

环绕所述活性区域的非活性周界区，包括环绕所述活性 区域的至少一个第一导电型的环，

其中，紧邻所述活性区域的边缘延伸的至少一个所述第 一导电型柱的条带的一端在直线处终止，每一个其余的所述第 一导电型柱的条带的一端也均在所述直线处终止，所述直线垂 直于所述活性区域的长度延伸，所述第一导电型柱的条带和所 述第二导电型柱的条带沿着所述活性区域的长度延伸，并且其 中，每两个相邻的所述第一导电型柱的条带在所述活性区域彼 此隔开第一间隔，所述直线限定所述活性区域的第一边缘，其 中，所述活性区域的所述第一边缘与所述至少一个第一导电型 的环隔开第二间隔，其中，所述第二间隔小于所述第一间隔， 从而增加所述非活性周界区中的击穿电压。

2.根据权利要求1所述的电荷平衡半导体功率器件，其中，所述 第二间隔等于所述第一间隔的一半。

3.根据权利要求1所述的电荷平衡半导体功率器件，其中，所述 非活性周界区包括多个第一导电型的环，每两个相邻的第一导 电型的环彼此隔开等于所述第一间隔的距离。

4.根据权利要求1所述的电荷平衡半导体功率器件，其中，所述 至少一个第一导电型的环是具有圆角的矩形或正方形。

5.根据权利要求1所述的电荷平衡半导体功率器件，其中，所述 至少一个第一导电型的环是具有尖锐的转角的矩形或正方形。

6.根据权利要求1所述的电荷平衡半导体功率器件，其中，所述 第一导电型柱的条带和所述第二导电型柱的条带在一端处与 所述至少一个第一导电型的环邻接。

7.根据权利要求1所述的电荷平衡半导体功率器件，其中，所述 电荷平衡半导体功率器件是垂直导电功率器件。

8.根据权利要求1所述的电荷平衡半导体功率器件，其中，所述 第一导电型是p型而所述第二导电型是n型。

9.一种电荷平衡半导体器件，包括：

活性区域，包括以交替方式布置的垂直延伸的第一导电 型柱的条带和垂直延伸的第二导电型柱的条带，每两个相邻的 所述第一导电型柱的条带彼此隔开第一间隔；以及

环绕所述活性区域的非活性周界区，包括至少两个水平 延伸的第一导电型柱的条带和至少两个垂直延伸的第一导电 型柱的条带，所述至少两个水平延伸的第一导电型柱的条带彼 此隔开第二间隔，而非活性周界区中的所述至少两个垂直延伸 的第一导电型柱的条带彼此隔开等于所述第二间隔的间隔，所 述至少两个水平延伸的第一导电型柱的条带中的每一个的一 端均与非活性周界区中的所述至少两个垂直延伸的第一导电 型柱的条带中的对应一个隔开第三间隔，其中所述第二间隔大 于所述第三间隔。

10.根据权利要求9所述的电荷平衡半导体功率器件，其中，所述 第二间隔等于所述第一间隔。

11.根据权利要求9所述的电荷平衡半导体功率器件，其中，活性 区域中的所述垂直延伸的第一导电型柱的条带的一端与所述 至少两个水平延伸的第一导电型柱的条带之一隔开等于所述 第三间隔的间隔。

12.根据权利要求9所述的电荷平衡半导体功率器件，其中，非活 性周界区中的所述至少两个垂直延伸的第一导电型柱的条带 中的每一个均延伸越过所述至少两个水平延伸的第一导电型 柱的条带中的对应一个的一端预定的距离。

13.根据权利要求9所述的电荷平衡半导体功率器件，其中，所述 第三间隔等于所述第二间隔的一半。

14.根据权利要求9所述的电荷平衡半导体功率器件，其中，所述 第一导电型是p型而所述第二导电型是n型。