[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号: | 200780005822.7 | 申请日: | 2007-02-15 |
| 公开(公告)号: | CN101385135A | 公开(公告)日: | 2009-03-11 |
| 发明(设计)人: | 三隅贞二;松村健;高本尚英;三木翼 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/52 | 分类号: | H01L21/52;C09J7/02 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 樊卫民;郭国清 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置制造方法,其使用衬垫用胶粘片,其特征在于,具有:
准备至少在一面上具有包含胶粘剂层的衬垫层的胶粘片作为所述衬垫用胶粘片,
以所述胶粘剂层为贴合面将所述衬垫用胶粘片与切割片贴合在一起的工序,
对所述衬垫用胶粘片进行切割,形成具备所述胶粘剂层的小片状衬垫的工序,
将所述衬垫和所述胶粘剂层一起自所述切割片剥离的工序,和
通过所述胶粘剂层将所述衬垫固定在被粘体上的工序,
其中,使用所述衬垫层为金属层的胶粘片作为所述衬垫用胶粘片。
2.如权利要求1所述的半导体装置制造方法,其特征在于,所述衬垫层的厚度为5~100μm。
3.如权利要求1所述的半导体装置制造方法,其特征在于,所述被粘体为衬底、引线框或其它半导体元件。
4.如权利要求1所述的半导体装置制造方法,其特征在于,所述胶粘剂层是包含热塑性树脂而构成的胶粘剂层。
5.如权利要求4所述的半导体装置制造方法,其特征在于,使用丙烯酸树脂作为所述热塑性树脂。
6.如权利要求1所述的半导体装置制造方法,其特征在于,所述胶粘剂层是包含热固性树脂及热塑性树脂而构成的胶粘剂层。
7.如权利要求6所述的半导体装置制造方法,其特征在于,使用丙烯酸树脂作为所述热塑性树脂。
8.一种在权利要求1所述的半导体装置制造方法中使用的衬垫用胶粘片。
9.一种半导体装置,其特征在于,通过权利要求1所述的半导体装置制造方法而得到。
10.一种半导体装置制造方法,其使用衬垫用胶粘片,其特征在于,具有:
准备将在基材上依次层压粘着剂层、胶粘剂层及衬垫层而成的胶粘片作为所述衬垫用胶粘片,
对所述衬垫用胶粘片进行切割,形成具备所述胶粘剂层的小片状衬垫的工序,
将所述衬垫与所述胶粘剂层一起自所述粘着剂层剥离的工序,和
通过所述胶粘剂层将所述衬垫固定在被粘体上的工序,
其中,使用所述衬垫层为金属层的胶粘片作为所述衬垫用胶粘片。
11.如权利要求10所述的半导体装置制造方法,其特征在于,所述衬垫层的厚度为5~100μm。
12.如权利要求10所述的半导体装置制造方法,其特征在于,所述被粘体为衬底、引线框或其它半导体元件。
13.如权利要求10所述的半导体装置制造方法,其特征在于,所述胶粘剂层是包含热塑性树脂而构成的胶粘剂层。
14.如权利要求13所述的半导体装置制造方法,其特征在于,使用丙烯酸树脂作为所述热塑性树脂。
15.如权利要求10所述的半导体装置制造方法,其特征在于,所述胶粘剂层是包含热固性树脂及热塑性树脂而构成的胶粘剂层。
16.如权利要求15所述的半导体装置制造方法,其特征在于,使用丙烯酸树脂作为所述热塑性树脂。
17.一种在权利要求10所述的半导体装置制造方法中使用的衬垫用胶粘片。
18.一种半导体装置,其特征在于,通过权利要求10所述的半导体装置制造方法而得到。
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