[发明专利]半透型液晶显示装置及其制造方法无效
| 申请号: | 200780005684.2 | 申请日: | 2007-01-09 |
| 公开(公告)号: | CN101384951A | 公开(公告)日: | 2009-03-11 |
| 发明(设计)人: | 藤冈和巧;齐藤全亮;田中俊行;富永真克;藤田哲生;末广祐治;中原圣;吉川和广 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
| 主分类号: | G02F1/1368 | 分类号: | G02F1/1368;G02F1/1335;G02F1/1343 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙 淳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半透型 液晶 显示装置 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种半透型压液晶显示装置及其制造方法。
背景技术
在半透型液晶显示装置中,是图像的最小单位且排列成矩阵状的各个像素包括:让来自背光源的光透过而进行透过模式的显示的透过区和对外界光进行反射而进行反射模式的显示的反射区。因此,半透型液晶显示装置,能够不受周围的亮度的影响,维持足够高的对照比,而得到很高的视觉上的识别性。
有源矩阵驱动方式的液晶显示装置包括:多个像素电极排列成矩阵状的有源矩阵基板、与该有源矩阵基板相向而设且具有公用电极的对向基板、以及设在这两个基板之间的液晶层。在上述那样的半透型液晶显示装置中,各个像素电极包括构成透过区的透明电极和构成反射区的反射电极。这里,反射电极大多由铝膜等具有高反射率的金属导电膜形成,同时,透明电极大多由ITO(Indium TinOxide)膜、IZO(Indium Zinc Oxide)等透明导电膜形成。
上述金属导电膜和透明导电膜所用的各种电极材料都具有固有的功函数(work function),所以在半透型液晶显示装置中,在反射电极和透明电极之间功函数不同。若如此,则因为在反射电极和透明电极处,表面电位不同,所以有可能出现闪烁,显示品位也就有可能显著地下降。
出现该闪烁的原因如下所述。
为了防止图像留下残影,需要正、负交替地切换施加给液晶层的电压的极性来对液晶显示装置进行交流驱动。具体而言,在每个一定周期内向像素电极写入使像素电极的极性正、负相反的电荷,来正、负交替地切换施加给液晶层的电压的极性。此时,给对向基板的公用电极设定了最佳对向电位,使施加在液晶层上的正、负电压实效上达到相等。
但是,在半透型液晶显示装置中,因为反射电极和反射电极的表面电位由于上述功函数之差而不同,所以最佳对向电位仅仅施加了反射电极和透明电极中之一。此时,因为在未被设定最佳对向电位的电极区域一侧的液晶层上施加了直流电压,所以施加在液晶层上的电压正、负不对称,而产生了亮度周期地变化的闪烁。
因此,在半透型液晶显示装置中,是通过使反射区和透过区的电极材料的功函数一致,来抑制闪烁的出现的,这一做法已广为人知。
例如,在专利文献1中披露了下述液晶显示装置,在该液晶显示装置中,在反射区和透过区设置上透明电极,经由该透明电极将电压施加到液晶层上。
图39是对应于专利文献1的图6中所公开的半透型液晶显示装置的半透型液晶显示装置150a的示意剖视图。
如图39所示,半透型液晶显示装置150a包括:有源矩阵基板120a、对向基板130a以及液晶层125。该有源矩阵基板120a具有由反射电极106a和透明电极107a构成的像素电极;该对向基板130a与该有源矩阵基板120a相向而设且具有公用电极122。该液晶层125设在该两基板120a和130a之间。
在半透型液晶显示装置150a中,因为用以对反射区R和透过区T的光路差进行补偿的层间绝缘膜112设在反射电极106a的下层,所以透明电极107a隔着层间绝缘膜112的阶梯部分形成在反射区R和透过区T。因此,当透明电极107a较薄的时候,在阶梯部分导通就有可能不良;而当透明电极107a较厚的时候,反射区R的反射率就有可能下降。
在专利文献2的图3中公开了图40所示那样的半透型液晶显示转置150b。
在半透型液晶显示装置150b中,在基板110a上设置有由ITO膜构成的第一透明电极102,在该第一透明电极102的上层的层间绝缘膜112上依序层叠有由铝膜等构成的反射电极106a、由IZO膜构成的第二透明电极107b。而且,由反射电极106a和第二透明电极107叠层而成的区域成为反射区R,第一透明电极102中的从反射电极106a露出的区域成为透过区T。
因为ITO膜和IZO膜各自的功函数分别是4.9eV和4.8eV,所以反射区R和透过区T的电极材料的功函数基本上一致了,尽管如此,用肉眼还是能够识别出微小的闪烁,因此有改善的余地。另外,从将反射电极106b覆盖起来的第二透明电极107b对可见光的透明性、导电性、该第二透明电极107b和下层的铝层之间的蚀刻性、电腐蚀性来考虑,用IZO膜作该第二透明电极107b是最合适的。所以从制造工序的效率优先的角度来看,则是不在透过区T形成第二透明电极107b。《专利文献1》日本公开专利公报特开2003-255378号公报《专利文献2》日本公开专利公报特开2004-191958号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
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