[发明专利]半透型液晶显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半透型液晶显示装置，包括：相互相向而设的有源矩阵基板与对向基板、以及设在所述有源矩阵基板和对向基板之间的液晶层，多个分别具有进行反射模式的显示的反射区和进行透过模式的显示的透过区的像素布置成矩阵状，其特征在于：

所述有源矩阵基板包括：多条源极线、第一透明电极、绝缘层、反射电极以及第二透明电极，

所述多条源极线，在所述各个像素之间相互平行地延伸，

所述第一透明电极，按所述各个像素设置，经由开关元件与所述各条源极线相连接，

所述绝缘层，设在该第一透明电极上，按所述各个像素设置有开口部，

所述反射电极，设在该绝缘层上且按所述各个像素设置，经由所述开口部与所述第一透明电极相连接，

所述第二透明电极，按所述各个像素设置，与所述反射电极、所述第一透明电极的从该反射电极露出的区域重叠，与所述反射电极和第一透明电极相连接；

形成有所述反射电极的区域构成所述反射区，所述第一透明电极的从所述反射电极露出的区域构成所述透过区；

在所述各个像素中，所述反射电极和所述第二透明电极的各外端部相一致。

2.根据权利要求1所述的半透型液晶显示装置，其特征在于：

所述第一透明电极由氧化铟和氧化锡的化合物形成；

所述第二透明电极由氧化铟和氧化锌的化合物形成。

3.根据权利要求2所述的半透型液晶显示装置，其特征在于：

所述第二透明电极的厚度是50埃-300埃。

4.根据权利要求1所述的半透型液晶显示装置，其特征在于：

当不施加电压时，所述液晶层成为垂直取向状态。

5.根据权利要求1所述的半透型液晶显示装置，其特征在于：

构成所述绝缘层，使所述反射区的液晶层的厚度成为所述透过区的液晶层的厚度的1/2。

6.根据权利要求1所述的半透型液晶显示装置，其特征在于：

所述反射电极具有：接着所述第一透明电极而设的第一金属层和层叠在该第一金属层上的第二金属层；

在所述第二透明电极中形成有使所述第一透明电极的一部分露出的开口部。

7.一种半透型液晶显示装置的制造方法，该半透型液晶显示装置包括：相互相向而设的有源矩阵基板、对向基板以及设在所述有源矩阵基板和对向基板之间的液晶层，多个分别具有进行反射模式的显示的反射区和进行透过模式的显示的透过区的像素布置成矩阵状，其特征在于：

包括以下工序：

第一透明电极形成工序，在基板上形成相互平行地延伸的多条源极线，和按所述各个像素形成经由开关元件与所述各条源极线相连接的第一透明电极，

绝缘层形成工序，在所述第一透明电极上形成按所述各个像素设置有开口部的绝缘层，

反射导电膜形成工序，形成反射导电膜，将所述绝缘层覆盖起来，

第一蚀刻工序，对所述反射导电膜的对应于所述开口部的部分进行蚀刻，来形成经由所述绝缘层的开口部与第一透明电极相连接的反射导电层，

透明导电膜形成工序，形成透明导电膜，将所述反射导电层覆盖起来，

以及

第二蚀刻工序，对所述反射导电层和透明导电膜的对应于所述像素之间的间隙的部分进行蚀刻，形成经由所述绝缘层的开口部与第一透明电极相连接的反射电极、和与该反射电极和所述第一透明电极的从该反射电极露出的区域重叠、与所述反射电极和第一透明电极相连接的第二透明电极，制作出形成有所述反射电极的区域构成所述反射区、所述第一透明电极的从所述反射电极露出的区域构成所述透过区的所述有源矩阵基板；

在所述第二蚀刻工序中，对所述反射导电层和透明导电膜进行蚀刻，以便在所述各个像素中所述反射电极和所述第二透明电极的各外端部相一致。

8.根据权利要求7所述的半透型液晶显示装置的制造方法，其特征在于：

所述第一透明电极由氧化铟和氧化锡的化合物形成；

所述第二透明电极由氧化铟和氧化锌的化合物形成。

9.根据权利要求7所述的半透型液晶显示装置的制造方法，其特征在于：

在所述反射导电膜形成工序中，依次形成第一金属膜和第二金属膜，将所述绝缘层覆盖起来；

在所述第二蚀刻工序中，对所述透明导电膜进行湿蚀刻，以便在所述各个像素中让所述第一透明电极的一部分露出。