[发明专利]用来保护蓄电池的半导体单元、内置该半导体单元的电池组、以及使用该电池组的电子装置

权利要求书

1.一种通过检测过充电、过放电、充电过电流、放电过电流、或短路电 流来保护蓄电池的半导体单元，包括：

电流检测端子，其当为蓄电池充电时将充电电流转换为相对于蓄电池的 负电极电势即地电势的负电压，当为蓄电池放电时将放电电流转换为相对于 蓄电池的负电极电势的正电压，并且检测充电/放电电流；以及

测试信号生成电路，其当电流检测端子的电压下降到不会在半导体单元 的正常操作状态下发生的第一负电压时生成第一测试信号，并且当电流检测 端子的电压下降到低于第一负电压的第二负电压时生成第二测试信号，其中：

测试信号生成电路至少包含：

CMOS配置的第一反相器电路，其中出于生成第一测试信号的目的，将第 一反相器电路的负电源端子连接到电流检测端子，并且将第一反相器电路的 输入端子连接到地电势或者预定电势；以及

CMOS配置的第二反相器电路，其中出于生成第二测试信号的目的，将第 二反相器电路的负电源端子连接到电流检测端子，并且将第二反相器电路的 输入端子连接到地电势或者预定电势。

2.如权利要求1所述的半导体单元，还包括：

延迟电路，其将检测过充电、过放电、充电过电流、放电过电流、或短 路电流的输出延迟为每个检测项目确定的延迟时间，其中：

当测试半导体单元时，使用第一测试信号与第二测试信号中的一个，作 为用来缩短延迟电路所生成的延迟时间的信号；并且

使用第一测试信号与第二测试信号中的另一个，作为用来测试延迟电路 的信号。

3.如权利要求1所述的半导体单元，其中：

第一反相器电路的输入门限电压与第二反相器电路的输入门限电压相互 不同。

4.如权利要求3所述的半导体单元，其中：

作为使将栅极连接到第一反相器电路与第二反相器电路的输入端子的 NMOS晶体管的栅极门限电压相互不同的结果，将第一反相器电路与第二反相 器电路的输入门限电压设置处于不同电压。

5.如权利要求4所述的半导体单元，其中：

作为使将栅极连接到第一反相器电路与第二反相器电路的输入端子的 NMOS晶体管的栅极宽度与栅极长度的比例在第一反相器电路与第二反相器电 路之间相互不同的结果，使所述NMOS晶体管的栅极门限电压不同。

6.如权利要求3所述的半导体单元，其中：

作为将具有不同电阻值的电阻器插入在将栅极连接到第一反相器电路与 第二反相器电路的NMOS晶体管的源极与电流检测端子之间的结果，将第一反 相器电路与第二反相器电路的输入门限电压设置处于不同电压。

7.如权利要求3所述的半导体单元，其中：

将第一反相器电路与第二反相器电路的输入端子连接到共同电势。

8.如权利要求7所述的半导体单元，其中：

所述共同电势为地电势。

9.如权利要求1所述的半导体单元，其中：

第一反相器电路与第二反相器电路的输入端子分别连接到不同的电势。

10.如权利要求1所述的半导体单元，其中：

将迟滞给予第一反相器电路与第二反相器电路中每一个的输入门限电 压。

11.一种内置有如权利要求1所述的半导体单元的电池组。

12.一种使用如权利要求11所述的电池组的电子装置。