[发明专利]结合探针的方法以及使用该方法制造探针卡的方法有效
申请号: | 200780002021.5 | 申请日: | 2007-03-19 |
公开(公告)号: | CN101366108A | 公开(公告)日: | 2009-02-11 |
发明(设计)人: | 金基俊;曹容辉 | 申请(专利权)人: | 飞而康公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 章社杲;李丙林 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 结合 探针 方法 以及 使用 制造 | ||
技术领域
本发明的示例性实施例涉及一种结合探针的方法以及一种使用该方法制造探针卡(probe card)的方法。更具体地说,本发明的示例性实施方式涉及一种将直接与目标物(object)接触的探针与多层基板结合的方法,以及一种使用该结合探针的方法来制造探针卡的方法。
背景技术
通常,用探针卡测试半导体基板上芯片的电容量(electricalcapacity)。探针卡与芯片的焊盘(pad)接触。然后探针卡向焊盘施加一个电信号。探针卡检测来自焊盘的应答电信号以确定该芯片是否正常工作。
随着半导体装置(半导体器件)被高度集成,半导体装置的电路图案已经精细化。因此,有必要制造间距(pitch)与半导体装置微小电路图案间距对应的探针卡。
通常,可通过使用焊膏将多个探针结合到多层基板上的凸起层(bump layer)图案来制造探针卡。可使用模板掩模(镂空掩模,stencil mask),通过丝网印刷工艺(screen-printing process)来涂覆焊膏。依照丝网印刷工艺,可通过激光工艺(laser process)、蚀刻工艺(etching process)、电镀工艺(electroplating process)等在模板掩模上形成图案。焊膏穿过模板掩模上的图案来涂覆焊膏。这里,在韩国专利早期公布号2005-109331、2004-88947等中披露了用于形成探针卡的传统方法的实例。
这里,当凸起层图案的间距较窄时,其上涂覆焊膏的凸起层图案的区域可能较窄。因而,焊膏的量可能缺少以至于探针和凸起层图案之间的结合强度减弱。为了在具有细微间距的凸起层图案上涂覆足够量的焊膏,需要增大具有精细图案的模板掩模的厚度。然而,由于图案具有较小的尺寸而模板掩模还具有较厚的厚度,所以焊膏可能不能有效地穿过较厚的模板掩模。结果,尽管模板掩模具有较厚的厚度,但是焊膏的量可能仍然缺少。而且,由于探针的重力,具有较高高度的焊膏可能会扩散。扩散的焊膏可能导致相邻凸起层图案之间的电短路。
因此,根据传统方法,可能在凸起层图案上不能涂覆结合探针所需要的足够量的焊膏。相反,即使足够量的焊膏可涂覆在凸起层图案上,相邻凸起层图案可能通过由于探针重力作用扩散的焊膏而彼此电连接。
发明内容
技术问题
本发明的示例性实施方式提供了一种结合探针的方法,该方法能够防止焊膏导致的凸起层图案之间与足量提供的焊膏一起发生的电短路。
本发明的示例性实施方式还提供了一种使用上述方法制造探针卡的方法。
技术方案
在根据本发明的一个方面结合探针的方法中,在多层基板的末端上形成凸起层图案。在该凸起层图案上形成对焊膏有润湿性的第一润湿层图案、以及对焊膏有不可润湿性的非润湿层图案。在第一润湿层和非润湿层图案上形成焊膏。将与目标物接触的探针和焊膏结合。在非润湿层图案上的焊膏沿着第一润湿层图案的表面回流从而在第一润湿层图案上形成粘合层(adhesive layer)。
根据一个示例性实施方式,在与焊膏结合的探针上可进一步形成第二润湿层图案。
根据另一个示例性实施方式,形成第一润湿层图案和非润湿层图案可包括在凸起层图案的第一区域上形成非润湿层图案;以及在非润湿层图案的第二区域(其对应于一个从整个区域中排除第一区域后的区域)上形成第一润湿层图案。
根据另一个示例性实施方式,形成第一润湿层图案和非润湿层图案可包括在凸起层图案的整个表面上形成非润湿层图案,并在该非润湿层图案上部分地形成第一润湿层图案。
根据又一个示例性实施方式,非润湿层图案可包括氧化(物)层(oxide layer)图案。
在根据本发明的另一个方面制造探针卡的方法中,制备一个多层基板。在该多层基板的末端上形成凸起层图案。在该凸起层图案上形成对焊膏有润湿性的第一润湿层图案、以及对焊膏有不可润湿性的非润湿层图案。在第一润湿层和非润湿层图案上形成焊膏。将与目标物接触的探针和焊膏结合。非润湿层图案上的焊膏沿着第一润湿层图案的一个表面回流从而在第一润湿层图案上形成粘合层,从而将探针结合至多层基板。探针结合的多层基板与印刷电路板组装从而将多层基板电连接至印刷电路板。
有益效果
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造