[发明专利]结合探针的方法以及使用该方法制造探针卡的方法有效
| 申请号： | 200780002021.5 | 申请日： | 2007-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN101366108A | 公开（公告）日： | 2009-02-11 |
| 发明（设计）人： | 金基俊;曹容辉 | 申请（专利权）人： | 飞而康公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;李丙林 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结合 探针 方法 以及 使用 制造 | ||
1.一种结合探针的方法，包括：
在多层基板的末端上形成凸起层图案；
在所述凸起层图案上形成第一润湿层图案和非润湿层图案，所述第一润湿层图案具有对焊膏的润湿性，而所述非润湿层图案具有对所述焊膏的不可润湿性；
在所述第一润湿层图案和所述非润湿层图案上形成所述焊膏；
将与目标物接触的所述探针结合至所述焊膏；并使所述非润湿层图案上的所述焊膏朝向所述第一润湿层图案的表面回流，从而在所述第一润湿层图案上形成粘合层。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，进一步包括在结合所述焊膏的所述探针的表面上形成第二润湿层图案。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述探针与所述第一润湿层图案上的所述焊膏结合。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一润湿层图案和所述非润湿层图案包括：
在所述凸起层图案的第一区域上形成所述第一润湿层图案；以及
在所述凸起层图案的第二区域上形成所述非润湿层图案，所述凸起层图案的第二区域对应于从整体区域中排除所述第一区域的区域。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一润湿层图案和所述非润湿层图案包括：
在所述凸起层图案的整个表面上形成所述非润湿层图案；以及
在所述非润湿层图案上部分地形成所述第一润湿层图案。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述非润湿层图案包括氧化层图案。
7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述非润湿层图案是通过热氧化所述凸起层图案而形成的。
8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述非润湿层图案是通过湿氧化所述凸起层图案而形成的。
9.一种制造探针卡的方法，包括：
准备多层基板；
将探针结合至所述多层基板；以及
将所述多层基板与印刷电路板装配在一起以允许所述探针与所述印刷电路板电连接，其中，将所述探针结合至所述多层基板包括：
在所述多层基板的末端上形成凸起层图案；
在所述凸起层图案上形成第一润湿层图案和非润湿层图案，所述第一润湿层图案具有对焊膏的润湿性，而所述非润湿层图案具有对所述焊膏的不可润湿性；
在所述第一润湿层图案和所述非润湿层图案上形成所述焊膏；
将与目标物接触的所述探针结合至所述焊膏；并且
使在所述非润湿层图案上的焊膏朝向所述第一润湿层图案的表面回流，从而在所述第一润湿层图案上形成粘合层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
