[发明专利]信息记录介质及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及信息记录介质及其制造方法。更具体而言，本发明涉及能够通过照射光记录信息信号的信息记录介质。

背景技术

一次性写入型(write-once type)光记录介质要求如非可擦除(防删改)、耐久性高和价廉等特性，但不要求连续可再写性。一般而言，折射率或吸收系数中的至少任何一个随热变化的材料用于一次性写入型光记录介质的记录膜。另外，在一些情况下，由于记录后基板变形，记录膜经受体积膨胀或膜厚的大幅变化，由此可能影响复制信号。在有机染料用于记录材料的情况下明显产生这种体积变化和基板变形是公知的，然而，甚至在使用无机材料的情况下，有时也会观察到这种体积变化，无论这种变化是小还是大。

出于记录膜耐久性的观点，在记录膜的两个或一个边界中配置金属膜或介电体膜。例如，广泛用作相变材料保护膜的ZnS-SiO₂型介电体膜是实现良好记录特性以及保护膜功能的理想材料。这种材料具有低的热导率，并能够增加记录敏感度的敏感性。另外，该材料与记录膜具有良好的粘附性，使得在相变材料的情况下，得到有利的再写特性。

而且，由于所述材料具有高的折射率，所以可容易地优化光学特性，从而能够得到合适的反射率和调节度配置。

另外，由于ZnS-SiO₂具有较小的内应力，所以较少发生开裂或破损。如上所述，许多情况中，在一次性写入型光记录介质中膜厚在记录前后大大改变，并且当记录之后在保护膜中造成开裂而形成裂缝时，水气等从此处进入并可能引发不利于耐久性的严重问题。ZnS-SiO₂是几乎不引发这种问题的材料。

如上所述，ZnS-SiO₂是作为一次性写入型光记录介质的非常优异的介电体膜。然而，存在的缺点是S(硫)组分趋于游离扩散至相邻层并发生反应，由此易于导致劣化。特别是，如BD-R(Blu-ray Disc-Recordable(注册商标))，当在记录上设置透光层并且压敏粘合剂(PSA)用于透光层时，如果ZnS-SiO₂与PSA邻接，PSA则劣化。具体而言，PSA宽范围的性质改变导致光斑的巨大像差，从而使复制信号劣化。

因而，提出在ZnS-SiO₂与PSA之间设置另一介电体膜，对于介电体膜，广泛用作保护膜的Si₃N₄的使用防止了S与PSA的反应，从而可解决上述像差问题。(例如，参考特开2003-59106号公报)。

然而，当如上所述另设置介电体膜时，出于耐久性的观点引发了另一问题。即，记录膜在记录信息信号后膨胀，并在Si₃N₄膜中造成开裂，而且还在与Si₃N₄膜邻接的ZnS-SiO₂膜中造成开裂。然后，由于这种开裂，水气进入记录膜，由此产生耐久性方面的严重问题。

因而，本发明的目的是提供信息记录介质和该信息记录介质的制造方法，即使引发大体积膨胀的材料用于记录膜，该信息记录介质也可获得高的耐久性。

发明内容

为解决上述问题，本发明第一方面的信息记录介质包括基板、设置在基板上的记录膜和设置在基板上的介电体膜，其中所述记录膜由配置用来通过光能照射引发体积膨胀的记录材料制成，介电体膜由ZrO₂和Cr₂O₃制成。

本发明第二方面的具有基板、设置在基板上的记录膜和设置在基板上的介电体膜的信息记录介质的制造方法包括以下步骤：由通过光能照射引发体积膨胀的记录材料形成上述记录膜，并形成由ZrO₂和Cr₂O₃制成的上述介电体膜。

在本发明的第一和第二方面中，所述介电体膜包含40原子％或以上且90原子％或以下的Cr₂O₃是优选的。并且所述介电体膜还包含SiO₂是优选的。另外，所述介电体膜的膜厚为2nm或以上且20nm或以下是优选的。而且，由ZnS-SiO₂制成的介电体膜设置在记录膜和由SiO₂制成的介电体膜之间是优选的。

在本发明的第一和第二方面中，所述记录膜包括由锗氧化物制成的氧化物膜是优选的。在这些方面，所述记录膜包括与氧化物膜邻接的邻接膜并且所述邻接膜由Ti或TiSi制成是优选的。