[发明专利]信息记录介质及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200780000480.X 申请日: 2007-01-11
公开(公告)号: CN101322191A 公开(公告)日: 2008-12-10
发明(设计)人: 佐飞裕一;池田悦郎 申请(专利权)人: 索尼株式会社
主分类号: G11B7/254 分类号: G11B7/254;G11B7/24;G11B7/243;G11B7/257
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 吴培善;封新琴
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 信息 记录 介质 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种信息记录介质,其包括:

基板;

设置在基板上的记录膜;和

设置在基板上的介电体膜,

其中所述记录膜由通过光能照射引发体积膨胀的记录材料制成,并且所述介电体膜由ZrO2和Cr2O3制成。

2.根据权利要求1的信息记录介质,所述介电体膜包含40原子%或以上且90原子%或以下的Cr2O3

3.根据权利要求1的信息记录介质,其中所述介电体膜还包含SiO2

4.根据权利要求1的信息记录介质,其中所述记录膜包括锗氧化物制成的氧化物膜。

5.根据权利要求4的信息记录介质,其中所述记录膜还包括与所述氧化物膜邻接的邻接膜,并且所述邻接膜由钛(Ti)制成。

6.根据权利要求4的信息记录介质,其中所述记录膜还包括与所述氧化物膜邻接的邻接膜,并且所述邻接膜由TiSi制成。

7.根据权利要求1的信息记录介质,其中所述介电体膜的膜厚为2nm或以上且20nm或以下。

8.根据权利要求1的信息记录介质,其中由ZnS-SiO2制成的介电体膜设置在所述记录膜以及由ZrO2和Cr2O3制成的所述介电体膜之间。

9.一种制造信息记录介质的方法,所述信息记录介质具有基板、设置在基板上的记录膜和设置在基板上的介电体膜,所述方法包括以下步骤:

由通过光能照射引发体积膨胀的记录材料形成所述记录膜;以及

形成由ZrO2和Cr2O3制成的所述介电体膜。

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