[发明专利]信息记录介质及其制造方法无效
申请号: | 200780000480.X | 申请日: | 2007-01-11 |
公开(公告)号: | CN101322191A | 公开(公告)日: | 2008-12-10 |
发明(设计)人: | 佐飞裕一;池田悦郎 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | G11B7/254 | 分类号: | G11B7/254;G11B7/24;G11B7/243;G11B7/257 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 吴培善;封新琴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 信息 记录 介质 及其 制造 方法 | ||
1.一种信息记录介质,其包括:
基板;
设置在基板上的记录膜;和
设置在基板上的介电体膜,
其中所述记录膜由通过光能照射引发体积膨胀的记录材料制成,并且所述介电体膜由ZrO2和Cr2O3制成。
2.根据权利要求1的信息记录介质,所述介电体膜包含40原子%或以上且90原子%或以下的Cr2O3。
3.根据权利要求1的信息记录介质,其中所述介电体膜还包含SiO2。
4.根据权利要求1的信息记录介质,其中所述记录膜包括锗氧化物制成的氧化物膜。
5.根据权利要求4的信息记录介质,其中所述记录膜还包括与所述氧化物膜邻接的邻接膜,并且所述邻接膜由钛(Ti)制成。
6.根据权利要求4的信息记录介质,其中所述记录膜还包括与所述氧化物膜邻接的邻接膜,并且所述邻接膜由TiSi制成。
7.根据权利要求1的信息记录介质,其中所述介电体膜的膜厚为2nm或以上且20nm或以下。
8.根据权利要求1的信息记录介质,其中由ZnS-SiO2制成的介电体膜设置在所述记录膜以及由ZrO2和Cr2O3制成的所述介电体膜之间。
9.一种制造信息记录介质的方法,所述信息记录介质具有基板、设置在基板上的记录膜和设置在基板上的介电体膜,所述方法包括以下步骤:
由通过光能照射引发体积膨胀的记录材料形成所述记录膜;以及
形成由ZrO2和Cr2O3制成的所述介电体膜。
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