[实用新型]一种用于非电化学金属沉积法加工硅晶片的反应装置无效

专利信息
申请号: 200720305900.2 申请日: 2007-11-23
公开(公告)号: CN201151741Y 公开(公告)日: 2008-11-19
发明(设计)人: 赵嘉昊;邓飞 申请(专利权)人: 国家纳米技术与工程研究院
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 300457天津*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 电化学 金属 沉积 加工 晶片 反应 装置
【说明书】:

(一)技术领域

实用新型涉及一种硅晶片的加工设备,特别是一种用于非电化学金属沉积法加工硅晶片的反应装置。

(二)背景技术

在微电子工业领域,半导体芯片的加工是一项重要的工艺,其中非电化学金属沉积法是一种经常采用的加工方法,用于对硅晶片进行金属沉积或表面腐蚀。目前在非电化学金属沉积法加工硅晶片的工艺中,通常采用由承压外套及聚四氟乙烯内套筒构成的压力容器反应设备,其承压外套是由盖、体两部分组成的圆罐式结构,由铝、碳钢或不锈钢制成。该反应设备存在的缺点是:符合国家标准的承压外套造价高,使用不方便;承压外套的盖、体两部分容易抱死而难以打开;内套筒反应效率低,无法实现硅晶片加工的规模化生产。

(三)实用新型内容

本实用新型的目的是针对上述问题,提供一种结构简单、成本低、操作简便、使用安全可靠、可实现规模化生产的用于非电化学金属沉积法加工硅晶片的反应装置。

本实用新型的技术方案:

一种用于非电化学金属沉积法加工硅晶片的反应装置,其特征在于:由外承压密闭容器和内反应罐组成;内反应罐由罐盖、罐体和搁置架构成;罐体和罐盖为螺纹连接的封闭容器,其中罐体为外螺纹;搁置架为半园筒形结构,在半园筒的内壁开出间距相等的搁置槽,搁置架的顶部设有可方便移动搁置架的卡入式横梁。

一种上述用于非电化学金属沉积法加工硅晶片的反应装置,其特征在于:内反应罐的罐盖、罐体、搁置架和卡入式横梁均由聚四氟乙烯制成。

一种上述用于非电化学金属沉积法加工硅晶片的反应装置,其特征在于:外承压密闭容器为市售符合国家标准的铝合金或不锈钢制炊用压力锅。

本实用新型的优点是:1)用于加工硅晶片的该反应装置结构简单、操作简便、安全可靠;2)内反应罐的连接方式使其密封效果更好;3)外承压密闭容器承压要求较低,特别是可直接使用市售符合国家标准的铝合金或不锈钢制炊用压力锅进行操作,使生产成本大幅度下降;4)采用该搁置架可大大提高反应效率,实现硅晶片加工的规模化生产。

(四)附图说明

图1是所述反应装置中内反应罐的结构示意图。

图中:1.罐盖 2.罐体 3.搁置架 4.卡入式横梁

(五)具体实施方式

实施例:参见图1

一种利用非电化学金属沉积法加工直径为2英寸的硅晶片的反应装置,由外承压密闭容器和内反应罐组成;外承压密闭容器采用市售符合国家标准的不锈钢制炊用20cm压力锅;内反应罐由罐盖1(内径88mm、高25mm、外径115mm、螺纹15mm、螺纹间距1mm)、罐体2(内径80mm、壁厚8mm、净高50mm、底厚8mm、螺纹15mm、螺纹间距1mm)和搁置架3(高40mm、直径58mm、壁厚5mm)构成;罐盖1和罐体2为螺纹连接的封闭容器,其中罐体为外螺纹;搁置架为半园筒形结构,在半园筒的内壁开出间距相等的搁置槽,搁置槽宽、深、间距均为2mm,搁置架的顶部设有可方便移动搁置架的卡入式横梁4;内反应罐的罐盖、罐体、搁置架和卡入式横梁均由聚四氟乙烯制成。使用方法如下:将硅晶片依次放置在搁置架上,卡好横梁;利用横梁将装有硅晶片的搁置架放入盛有反应试剂(如氢氟酸)的内反应罐中,旋好罐盖;将内反应罐放入压力锅中,盖好锅盖即可进行反应。该装置操作简单、反应效率高、安全可靠,经试验验证效果良好。

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