[实用新型]一种用于非电化学金属沉积法加工硅晶片的反应装置无效
申请号: | 200720305900.2 | 申请日: | 2007-11-23 |
公开(公告)号: | CN201151741Y | 公开(公告)日: | 2008-11-19 |
发明(设计)人: | 赵嘉昊;邓飞 | 申请(专利权)人: | 国家纳米技术与工程研究院 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 300457天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 电化学 金属 沉积 加工 晶片 反应 装置 | ||
1.一种用于非电化学金属沉积法加工硅晶片的反应装置,其特征在于:由外承压密闭容器和内反应罐组成;内反应罐由罐盖、罐体和搁置架构成;罐体和罐盖为螺纹连接的封闭容器,其中罐体为外螺纹;搁置架为半园筒形结构,在半园筒的内壁开出间距相等的搁置槽,搁置架的顶部设有可方便移动搁置架的卡入式横梁。
2.根据权利要求1所述的用于非电化学金属沉积法加工硅晶片的反应装置,其特征在于:内反应罐的罐盖、罐体、搁置架和卡入式横梁均由聚四氟乙烯制成。
3.根据权利要求1所述的用于非电化学金属沉积法加工硅晶片的反应装置,其特征在于:外承压密闭容器为市售符合国家标准的铝合金或不锈钢制炊用压力锅。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的