[实用新型]一种用于非电化学金属沉积法加工硅晶片的反应装置无效

专利信息
申请号: 200720305900.2 申请日: 2007-11-23
公开(公告)号: CN201151741Y 公开(公告)日: 2008-11-19
发明(设计)人: 赵嘉昊;邓飞 申请(专利权)人: 国家纳米技术与工程研究院
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 300457天津*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 电化学 金属 沉积 加工 晶片 反应 装置
【权利要求书】:

1.一种用于非电化学金属沉积法加工硅晶片的反应装置,其特征在于:由外承压密闭容器和内反应罐组成;内反应罐由罐盖、罐体和搁置架构成;罐体和罐盖为螺纹连接的封闭容器,其中罐体为外螺纹;搁置架为半园筒形结构,在半园筒的内壁开出间距相等的搁置槽,搁置架的顶部设有可方便移动搁置架的卡入式横梁。

2.根据权利要求1所述的用于非电化学金属沉积法加工硅晶片的反应装置,其特征在于:内反应罐的罐盖、罐体、搁置架和卡入式横梁均由聚四氟乙烯制成。    

3.根据权利要求1所述的用于非电化学金属沉积法加工硅晶片的反应装置,其特征在于:外承压密闭容器为市售符合国家标准的铝合金或不锈钢制炊用压力锅。

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