[实用新型]改进的晶体管堆栈封装结构无效

专利信息
申请号: 200720195076.X 申请日: 2007-11-16
公开(公告)号: CN201126820Y 公开(公告)日: 2008-10-01
发明(设计)人: 资重兴;白金泉 申请(专利权)人: 利顺精密科技股份有限公司
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L25/18;H01L23/488;H01L23/31
代理公司: 天津三元专利商标代理有限责任公司 代理人: 高凤荣
地址: 中国*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 改进 晶体管 堆栈 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种改进的晶体管堆栈封装结构,包括一基板总成、一第一晶粒、一第二晶粒,其特征在于:

该第一晶粒是固设于基板总成上,该第一晶粒朝上端面外侧设有导接件,该第一晶粒朝上端面内侧设有焊线由内朝外与导接件呈电性连接,而该导接件外侧亦设有焊线,该导接件外侧的焊线是朝外并向下与基板总成呈电性连接,且该导接件朝上端面设有一第二晶粒;

该第二晶粒与导接件间未呈电性连接而设有一区隔层,该第二晶粒朝上端面外侧设有焊线,该第二晶粒外侧的焊线由内朝外延伸并向下与基板总成呈电性连接;

该基板总成上包覆设有一封装体,该封装体包覆第一晶粒、导接件、第二晶粒,借此形成一完整的封装结构。

2.根据权利要求1所述的改进的晶体管堆栈封装结构,其特征在于所述区隔层为具绝缘功效的胶黏剂。

3.根据权利要求1所述的改进的晶体管堆栈封装结构,其特征在于所述导接件与第一晶粒间设有一具绝缘功效的胶黏剂,该胶黏剂用以固定该导接件与第一晶粒。

4.根据权利要求1所述的改进的晶体管堆栈封装结构,其特征在于所述第一晶粒为动态随机存取内存。

5.根据权利要求1所述的改进的晶体管堆栈封装结构,其特征在于所述第二晶粒为闪存。

6.根据权利要求1所述的改进的晶体管堆栈封装结构,其特征在于所述基板总成包括一第一基板及一第二基板。

7.根据权利要求6所述的改进的晶体管堆栈封装结构,其特征在于所述第一基板是固设于第二基板朝上端面,该第一基板与导接件外侧的焊线呈电性连接,而该第二基板是与第二晶粒外侧的焊线呈电性连接。

8.根据权利要求6所述的改进的晶体管堆栈封装结构,其特征在于所述第二基板底部端面设有多个焊球,该焊球是呈数组排列构成。

9.根据权利要求6所述的改进的晶体管堆栈封装结构,其特征在于所述第一基板与第二基板间设有一具绝缘功效的胶黏剂,该胶黏剂用以固定该第一基板与第二基板。

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