[实用新型]同步整流驱动电路

说明书

技术领域

本实用新型是与电子电路有关，特别是指直流对直流转换的一种同步整流驱动电路。

背景技术

按，图6所示的，是为一种已知直流对直流的自激驱动转换电路，其主要是在变压器的两侧的绕组之外，再设置辅助绕组N3、N4、N5，并配合顺向开关Q2以及飞轮开关Q3来进行直流/直流的转换。

前述已知转换电路操作时的波形是显示于图7(A)，其顺向开关Q2的正向驱动电压准位随输入电压的增加而变高，飞轮开关Q3的正向驱动电压则相反，随输入电压的增加而降低，但是负向电压是变高的。

又，再如图7(B)所示，顺向开关Q2驱动电压的突波电压达到27V(一个刻度为2V)，飞轮开关Q3驱动电压的负向突波电压也超过-20V，而一般功率场效应晶体管的栅-源极最大承受电压值为±20V，因此突波电压会造成功率元件的栅-源极被击穿而烧毁。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于提供一种同步整流驱动电路，其可防止负向驱动电压的产生，以缩小驱动电压脉波高度的变化。

本实用新型的次一目的在于提供一种同步整流驱动电路，其可防止突波电压的产生，以保护电子元件。

缘是，为了达成前述目的，依据本实用新型所提供的一种同步整流驱动电路，其特征在于，包含有：

一第一侧以及一第二侧；

该第一侧具有一第一线圈绕组、一第一金属氧化半场效应晶体管、一辅助金属氧化半场效应晶体管、一辅助电容、以及一输入电源；其中该辅助金属氧化半场效应晶体管与该辅助电容串联，且其串联的组合并联于该第一线圈绕组；该第一金属氧化半场效应晶体管与该输入电源串接，且其串联的组合并联于该第一线圈绕组；

该第二侧具有一第二线圈绕组、一直流电压源、一第二金属氧化半场效应晶体管、一第三金属氧化半场效应晶体管、一第四金属氧化半场效应晶体管、一第五金属氧化半场效应晶体管、以及一电感；其中该直流电压源连接于该第四金属氧化半场效应晶体管的栅极以及该第五金属氧化半场效应晶体管的栅极，该第四金属氧化半场效应晶体管的漏极以及该第五金属氧化半场效应晶体管的漏极分别连接于该第二线圈绕组的两端，该第二金属氧化半场效应晶体管的栅极连接于该第四金属氧化半场效应晶体管的源极，该第三金属氧化半场效应晶体管的栅极连接于该第五金属氧化半场效应晶体管的源极，该第三金属氧化半场效应晶体管的漏极连接于该第四金属氧化半场效应晶体管的漏极，该第二金属氧化半场效应晶体管的漏极连接于该第五金属氧化半场效应晶体管的漏极，该第二金属氧化半场效应晶体管的源极与该第三金属氧化半场效应晶体管的源极连接；该电感一端连接于该第三金属氧化半场效应晶体管的漏极，另一端与该第三金属氧化半场效应晶体管的源极是用以连接一负载。

其中，该第一线圈绕组以及该第二线圈绕组是为一变压器两侧的线圈绕组，该第一线圈绕组位于一次侧，该第二线圈绕组位于二次侧。

其中，该辅助金属氧化半场效应晶体管是以其漏极连接于该辅助电容的一端，该辅助电容的另一端是与该辅助金属氧化半场效应晶体管的源极并联于该第一线圈绕组。

其中，该第一金属氧化半场效应晶体管是以其源极连接于该输入电源的负极，该输入电源的正极与该第一金属氧化半场效应晶体管的漏极并联于该第一线圈绕组。

本实用新型的有益效果是：

本实用新型的同步整流驱动电路，其可防止负向驱动电压的产生，以缩小驱动电压脉波高度的变化。

本实用新型的同步整流驱动电路，其可防止突波电压的产生，以保护电子元件。

附图说明

为了详细说明本实用新型的构造及特点所在，以下结合一较佳实施例并配合附图详细说明如后，其中：

图1是本实用新型一较佳实施例的电路结构图。

图2是N沟道增强型场效应晶体管在导通时的特性曲线示意图。

图3是本实用新型一较佳实施例的时序波形图。

图4是本实用新型一较佳实施例的时序波形图，显示出时间t₀之前的时间区段。

图5是本实用新型一较佳实施例的波形示意图，显示第二MOSFET及第三MOSFET的栅-源极电压的波形。

图6是已知直流对直流转换电路的电路结构图。

图7是已知直流对直流转换电路的波形示意图。

具体实施方式

如图1所示，本实用新型一较佳实施例所提供的一种同步整流驱动电路10，主要具有：