[实用新型]同步整流驱动电路有效
申请号: | 200720194283.3 | 申请日: | 2007-12-04 |
公开(公告)号: | CN201130908Y | 公开(公告)日: | 2008-10-08 |
发明(设计)人: | 陈联兴;刘力豪 | 申请(专利权)人: | 博大科技股份有限公司 |
主分类号: | H02M3/315 | 分类号: | H02M3/315 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 同步 整流 驱动 电路 | ||
1.一种同步整流驱动电路,其特征在于,包含有:
一第一侧以及一第二侧;
该第一侧具有一第一线圈绕组、一第一金属氧化半场效应晶体管、一辅助金属氧化半场效应晶体管、一辅助电容、以及一输入电源;其中该辅助金属氧化半场效应晶体管与该辅助电容串联,且其串联的组合并联于该第一线圈绕组;该第一金属氧化半场效应晶体管与该输入电源串接,且其串联的组合并联于该第一线圈绕组;
该第二侧具有一第二线圈绕组、一直流电压源、一第二金属氧化半场效应晶体管、一第三金属氧化半场效应晶体管、一第四金属氧化半场效应晶体管、一第五金属氧化半场效应晶体管、以及一电感;其中该直流电压源连接于该第四金属氧化半场效应晶体管的栅极以及该第五金属氧化半场效应晶体管的栅极,该第四金属氧化半场效应晶体管的漏极以及该第五金属氧化半场效应晶体管的漏极分别连接于该第二线圈绕组的两端,该第二金属氧化半场效应晶体管的栅极连接于该第四金属氧化半场效应晶体管的源极,该第三金属氧化半场效应晶体管的栅极连接于该第五金属氧化半场效应晶体管的源极,该第三金属氧化半场效应晶体管的漏极连接于该第四金属氧化半场效应晶体管的漏极,该第二金属氧化半场效应晶体管的漏极连接于该第五金属氧化半场效应晶体管的漏极,该第二金属氧化半场效应晶体管的源极与该第三金属氧化半场效应晶体管的源极连接;该电感一端连接于该第三金属氧化半场效应晶体管的漏极,另一端与该第三金属氧化半场效应晶体管的源极是用以连接一负载。
2.依据权利要求1所述的同步整流驱动电路,其特征在于,其中,该第一线圈绕组以及该第二线圈绕组是为一变压器两侧的线圈绕组,该第一线圈绕组位于一次侧,该第二线圈绕组位于二次侧。
3.依据权利要求1所述的同步整流驱动电路,其特征在于,其中,该辅助金属氧化半场效应晶体管是以其漏极连接于该辅助电容的一端,该辅助电容的另一端是与该辅助金属氧化半场效应晶体管的源极并联于该第一线圈绕组。
4.依据权利要求1所述的同步整流驱动电路,其特征在于,其中,该第一金属氧化半场效应晶体管是以其源极连接于该输入电源的负极,该输入电源的正极与该第一金属氧化半场效应晶体管的漏极并联于该第一线圈绕组。
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