[实用新型]发光二极管无效
申请号: | 200720154622.5 | 申请日: | 2007-04-29 |
公开(公告)号: | CN201044245Y | 公开(公告)日: | 2008-04-02 |
发明(设计)人: | 蒋人达;张嘉显;李晓乔;吴易座 | 申请(专利权)人: | 亿光电子工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L23/36;H01L23/488;H01S5/024 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾台北县*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 | ||
1.一种发光二极管,其特征在于该发光二极管至少包含:
一半导体基板,包含一上表面、一下表面;
多数个导电/导热插塞,嵌于该半导体基板中;
多数个金属电极,每一该些金属电极具有:
一第一部,附着于该上表面,与该导电/导热插塞接触;以及
一第二部,附着于该下表面,与该导电/导热插塞接触,借由该导电/导热插塞与该第一部相连接;以及
至少一发光半导体元件,固定于其中一金属电极的第一部上,以多数金属线分别电性连接该些金属电极与发光半导体元件之间。
2.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于其更包含一高反射性镀层披覆于该上表面。
3.根据权利要求2所述的发光二极管,其特征在于其中所述的高反射性镀层包含银或金镀层。
4.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于其中所述的半导体基板为硅基板。
5.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于其中所述的半导体基板为砷化镓基板。
6.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于其中所述的导电/导热插塞为金属构成的填塞体。
7.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于其中所述的导电/导热插塞为金属粉与树脂混合所构成的填塞体。
8.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于其中所述的导电/导热插塞为石墨构成的填塞体。
9.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于其中所述的导电/导热插塞为石墨粉与树脂混合所构成的填塞体。
10.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于其中所述的金属电极为金、银、铜或合金构成的片体。
11.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于其中所述的金属线为金线、银线、铝线或合金线。
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