[实用新型]发光二极管支架结构

说明书

技术领域

本实用新型有关一种发光二极管支架结构，特别是有关一种具有良好定位效果的发光二极管支架结构。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)是半导体材料制成的发光元件，可将电能转成光，其具有寿命长、体积小、驱动电压低等良好的电气与机械特性，故已被广泛应用在日常生活的产品当中。

现有的一种发光二极管支架结构如图1所示，支架结构包括一绝缘塑胶底座10以及一金属芯片承座20。如图所示，绝缘塑胶底座10具有一槽型穿孔12，槽型穿孔12是用以卡置金属芯片承座20。利用槽型穿孔12与金属芯片承座20相互铆合以使金属芯片承座20定位于绝缘塑胶底座10中。其后，发光二极管芯片再设置于金属芯片承座20上方的凹槽22内并电性连接以形成发光二极管结构。

当电压流通至发光二极管芯片，其所产生的热能通过金属芯片承座20加以散热，然而，因金属芯片承座20为金属材质，其较绝缘塑胶底座10易热涨冷缩，故当关闭电压后，金属芯片承座20就较易因冷却收缩较快而自槽型穿孔12脱落，严重的话会影响到发光二极管结构的产品寿命。因此，随着发光二极管的大量使用，如何通过改善绝缘塑胶底座与金属芯片承座的结合性来增加发光二极管的使用寿命，亦是业界关心的重要议题之一。

发明内容

为了解决上述问题，本实用新型目的之一是提供一种发光二极管支架结构，利用凸出部凸出金属承载构件的周缘以防止金属承载构件因较绝缘座容易热涨冷缩而由绝缘座中脱离。

本实用新型目的之一是提供一种发光二极管支架结构，于金属承载构件上形成凸出其周缘的凸出部，通过凸出部卡固于绝缘座内以增加绝缘座与金属承载构件的结合性。

为了达到上述目的，本实用新型的发光二极管支架结构，包括：一绝缘座以及一金属承载体；其中金属承载体设置于绝缘座内并暴露出金属承载体的一上表面与一下表面，且金属承载体具有一凸出部凸出金属承载体的周缘并延伸至绝缘座内。

附图说明

以下通过具体实施例配合附图详加说明，以便容易了解本实用新型的目的、技术内容、特点及其所达成的功效；其中：

图1为现有的发光二极管结构的结合示意图。

图2A、图2B、图2C、图2D及图2E分别为本实用新型不同实施例的发光二极管支架结构的剖视图。

图3A为本实用新型的又一实施例的发光二极管支架结构的俯视图。

图3B是图3A的A-A线段剖视图。

具体实施方式

其详细说明如下，所述较佳实施例仅做一说明而并非用以限定本实用新型。

首先，请先参考图2A，图2A为本实用新型的一实施例的发光二极管支架的结构剖视图。如图所示，发光二极管支架结构包括一绝缘座100以及一金属承载体200。于本实施例中，绝缘座100的材质包括不导电性高分子。金属承载体200设置于绝缘座100内并暴露出金属承载体200的一上表面202与一下表面204，其中金属承载体200具有一凸出部210凸出其周缘206并包覆于绝缘座100内。

接续上述说明，于本实施例中，金属承载体200为一上窄下宽设计，而如图所示，金属承载体200的上表面202与下表面204可分别凸出绝缘座100外，但可以理解的是，金属承载体200的上表面202与下表面204亦可仅局部凸出绝缘座100外。其凸出或暴露出绝缘座100的上表面202是用以设置发光二极管芯片；而凸出或暴露出绝缘座100的下表面204可方便其后将整个发光二极管结构配置于一外界散热装置上以加强散热功能。

于又一实施例中，发光二极管支架还包括一凹槽230设置于金属承载体200的上表面202用以承载发光二极管芯片(图中未示)，但可以理解的是，凹槽230为一选择性设计，发光二极管芯片亦可直接设置于金属承载体200的上表面202。

接着，请参考图2B，于又一实施例中，金属承载体200的凸出部210又可形成为一第一凸出部212与一第二凸出部214。如图所示，第一凸出部212是与第二凸出部214形成一阶梯状结构。但其并不限于此，第二凸出部214亦可朝与第一凸出部212垂直、约略垂直或是呈一角度的方向往绝缘座100内延伸(图中未示)。可以理解的，不论是第一凸出部212或第二凸出部214，其皆是由金属承载座200的周缘206向外凸出并与绝缘座100相互卡合，以避免金属承载体200因热胀冷缩而与绝缘座100分离。另外，凸出部210并不限于两阶段凸出，多阶段凸出部亦包括于本实用新型内。