[实用新型]发光二极管支架结构有效
| 申请号： | 200720147085.1 | 申请日： | 2007-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN201062770Y | 公开（公告）日： | 2008-05-21 |
| 发明（设计）人： | 朱振丰;陈原富 | 申请（专利权）人： | 复盛股份有限公司 |
| 主分类号： | F21V21/00 | 分类号： | F21V21/00;F21V29/00;H01L23/12;H01L23/373;F21Y101/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 支架 结构 | ||
1.一种发光二极管支架结构，包含：
一绝缘座；以及
一金属承载体；
其特征在于：该金属承载体设置于该绝缘座内并暴露出该金属承载体的一上表面与一下表面，其中该金属承载体具有一凸出部凸出该金属承载体的周缘并包覆于该绝缘座内。
2.根据权利要求1所述的发光二极管支架结构，其特征在于该绝缘座的材料包含不导电性高分子。
3.根据权利要求1所述的发光二极管支架结构，其特征在于该凸出部包含一第一凸出部及一第二凸出部。
4.根据权利要求3所述的发光二极管支架结构，其特征在于该第一凸出部与该第二凸出部形成一阶梯状结构。
5.根据权利要求3所述的发光二极管支架结构，其特征在于该第二凸出部是朝与该第一凸出部呈一角度的方向往该绝缘座内延伸。
6.根据权利要求1所述的发光二极管支架结构，其特征在于该金属承载体还包含一凹部设置于该金属承载体周缘。
7.根据权利要求1所述的发光二极管支架结构，其特征在于该金属承载体的该上表面是凸出该绝缘座。
8.根据权利要求1所述的发光二极管支架结构，其特征在于该金属承载体的该上表面是部份凸出该绝缘座。
9.根据权利要求1所述的发光二极管支架结构，其特征在于还包含一凹槽设置于该金属承载体的该上表面。
10.根据权利要求1所述的发光二极管支架结构，其特征在于该金属承载体的该下表面是凸出该绝缘座。
11.根据权利要求1所述的发光二极管支架结构，其特征在于该金属承载体的该下表面是部份凸出该绝缘座。
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