[实用新型]发光二极管封装结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种发光二极管封装结构，特别涉及一种具有较佳散热效果的发光二极管封装结构。

背景技术

发光二极管(Light emitting diode，LED)因为利用直接能带隙(direct bandgap)发光，且可以由半导体工艺生产，所以具有高效率及低成本的优点。随着蓝光二极管的研发成功及功率提高，发光二极管在一般照明(generallighting)及背光(back light)应用方面也逐渐受到人们的重视。

图1示出了在美国专利20050274959中公开的一种高功率发光二极管封装，其用以封装高功率发光二极管芯片401。如图1所示，该高功率发光二极管封装主要包含硅基座(silicone submount)402、散热座409及聚光杯413。硅基座402具有凹槽及位于凹槽中的电极(未标号)。发光二极管芯片401以覆晶方式安装在硅基座402的凹槽中，且经由焊锡414a及414b电连接到凹槽中的电极。凹槽中的电极借由焊接线412a及412b而连接到位于散热座409上的外部电极406a及406b，以与外部电源连接，从而为发光二极管芯片401提供电力。聚光杯413安装在散热座409上，以使发光二极管芯片401所发出的光线可以集中。

然而上述现有的高功率发光二极管封装存在以下缺点：发光二极管芯片401以覆晶方式安装在硅基座402的凹槽中，因此发光二极管芯片401的热量不易由焊锡导接至硅基座(silicone submount)402，因此散热座409不易发挥散热效果。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种具有较佳散热效果的发光二极管封装结构。

为达到上述目的，本实用新型提供一种发光二极管封装结构，其具有硅基座以及与硅基座结合的导热板。所述硅基座具有至少一个凹槽，且每一凹槽内具有反射层、透明绝缘层及金属凸块；待封装的发光二极管安置在金属凸块上，且发光二极管的电极在与金属凸块相反的一侧。发光二极管可以借由金属凸块而将热量传导到硅基座及导热板。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果在于具有较好的散热效果。

附图说明

图1是现有技术的发光二极管封装的侧视图；

图2是根据本实用新型优选实施方案的发光二极管封装制作方法的流程图；

图3A至3J是与图2的步骤对应的侧视图；以及

图4是根据图2的流程图制成的发光二极管封装的侧视图。

附图中，各标号所代表的部件列表如下：

发光二极管芯片401     硅基座402

外部电极406a，406b    焊接线412a，412b

焊锡414a，414b        聚光杯413

散热座409

凹槽数组300           硅基座300a

光反射层302           透明绝缘层304

金属凸块306           发光二极管310

保护胶320             荧光层322

聚光杯340             金属接线312

导热板360             通孔362

外接电极364

具体实施方式

图2是根据本实用新型优选实施方案的发光二极管封装制作方法的流程图，所述方法包含下列步骤。

步骤200(同时参照图3A)，在硅晶片上使用非等向性湿蚀刻方式，制作出具有多个凹槽的凹槽数组300，其中非等向性湿蚀刻方式可以用KOH或TMAH(四甲基氢氧化铵)来进行。硅晶片可以选用外延硅晶片，且非等向性湿蚀刻之后凹槽深度为100-300毫米，凹槽角度θ为15-140度。

步骤202(同时参照图3B)，在凹槽数组300上镀上一层光反射层302。

步骤204(同时参照图3C)，在光反射层302上成长一层透明绝缘层304。

步骤206(同时参照图3D)，在每一凹槽数组300的凹槽中，在透明绝缘层304上形成金属凸块306。金属凸块306可以采用举离法(Lift off)或电镀方式形成于透明绝缘层304上。

步骤208(同时参照图3E)，将发光二极管310安置在每一金属凸块306上，且发光二极管310的阴极及阳极(未图标)在与金属凸块306相反的一侧。发光二极管310例如可以为氮化镓系(GaN-based)蓝光发光二极管，且阴极及阳极都位于蓝光发光二极管的一侧。