[实用新型]发光二极管封装结构无效

专利信息
申请号: 200720143293.4 申请日: 2007-05-17
公开(公告)号: CN201066695Y 公开(公告)日: 2008-05-28
发明(设计)人: 龚先进;许弘宗 申请(专利权)人: 兆立光电有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 代理人: 余朦;方挺
地址: 中国*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种发光二极管封装结构,用以封装发光二极管芯片,所述封装结构具有:

硅基座,其具有至少一个凹槽;

反射层,位于所述凹槽的内表面上;

透明绝缘层,位于所述反射层上;以及

金属凸块,位于所述透明绝缘层上;

其特征在于,所述发光二极管芯片安置在所述金属凸块上,且所述发光二极管芯片的电极在与所述金属凸块相反的一侧。

2.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于进一步包含填入所述凹槽内的保护胶,所述保护胶具有平整的上表面。

3.如权利要求2所述的发光二极管封装,其特征在于进一步包含位于所述保护胶上的荧光粉层。

4.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于进一步包含与所述硅基座下表面接合的导热板。

5.如权利要求4所述的发光二极管封装结构,其特征在于所述导热板为印刷电路板、铜板或石墨金属复合物材料。

6.如权利要求4所述的发光二极管封装结构,其特征在于所述导热板具有至少一个通孔。

7.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于进一步包含包覆所述硅基座的聚光杯。

8.如权利要求7所述的发光二极管封装结构,其特征在于所述聚光杯的材料为PC塑料或压克力。

9.如权利要求1所述的发光二极管封装结构,其特征在于所述凹槽的深度为100-300毫米,所述凹槽的角度为15-140度。

10.如权利要求3所述的发光二极管封装结构,其特征在于所述荧光粉层为YAG荧光粉层,且其厚度为50-200微米。

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