[实用新型]发光二极管金属电极的制造装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种有关发光二极管(LED)的金属电极的制作技术，特别是关于一种无须采用光阻蚀刻或光阻浮离(photoresist lift-off)技术的发光二极管金属电极的制造装置。

背景技术

发光二极管为一种具有两个电极端子，在端子间施加电压，通入极小的电流，即可发出光亮的光电组件。由于发光二极管的发光现象不是通过加热或放电发光，而是属于冷性发光，所以组件寿命长、耗电量小、反应速度快、体积小、适合量产，具有高可靠度，且容易配合应用上的需要制成极小或数组式的组件，符合轻薄短小、功能强、可靠性高的产品趋势，使得发光二极管的适用范围颇广。

一般发光二极管的制造方法，是先制作出III-V化合物芯片之后，再于III-V化合物芯片上制作金属电极，然后进行切割以形成发光二极管晶粒，最后进行封装作业，即可完成发光二极管的制作。现有技术在发光二极管金属电极的制作方法，大致分为两种，第一种方法是先在III-V化合物芯片表面镀上一层金属膜，然后利用微影蚀刻技术形成一图案化光阻层，并以该图案化光阻层为罩幕，蚀刻该金属膜，进而完成金属电极的制作；另一种方法则是在III-V化合物芯片上先涂布一层光阻并进行微影成像后，镀上一层金属膜，再进行光阻浮离制程，使金属成像完成金属电极的制作。

不管是以上述何种方法制作金属电极，现有技术都需要利用微影蚀刻制程才能完成电极点的制作，但是就微影蚀刻技术而言，其制程相当烦琐且复杂，在制作上并具有较高的难度。

实用新型内容

本实用新型需要解决的问题是提供一种发光二极管金属电极的制造装置，以解决现有技术中需要利用微影蚀刻制程才能完成电极点的制作，但是就微影蚀刻技术而言，其制程相当烦琐且复杂，在制作上并具有较高的难度。

本实用新型的主要目的是提供一种发光二极管金属电极的制造装置，在不使用光阻蚀刻或光阻浮离微影制程的情形下，利用该制造装置制作出发光二极管的金属电极。

本实用新型的另一目的是在提供一种发光二极管金属电极的制造装置，具有制程简单、快速，并可大幅降低金属电极制造成本的优点。

为达到上述目的，本实用新型提供一种发光二极管金属电极制造装置，是装设在一反应室中的蒸镀盘上，此制造装置包括一用以承载芯片的载具，并在载具底部设置一磁性组件；另有一磁性光罩设置在芯片上，使磁性组件吸附该磁性光罩，并同时将该芯片固定在载具上，以作为后续金属蒸镀制程之用。

与现有技术相比，本实用新型具有以下优点：

本实用新型无须使用已知微影蚀刻或光阻浮离微影制程，即可制作出发光二极管的金属电极，因此具有制程简单、快速及制造成本低等优点。

本实用新型是在不使用光阻蚀刻或光阻浮离微影制程的情形下，利用该制造装置制作出发光二极管的金属电极，以解决现有技术中利用微影蚀刻制程所存在的缺点。

附图说明

图1是利用本实用新型制作发光二极管金属电极的流程示意图；

图2是本实用新型于制作发光二极管金属电极所使用的制造装置的构造示意图；

图3是图2的局部构造的放大示意图。

图号说明：

10  制造装置    12  蒸镀盘

14  载具          16  容置槽

18  芯片          20  磁性组件

22  磁性光罩      24  接触窗

26  蒸发金属源    28  金属电极

具体实施方式

本实用新型提出一种发光二极管金属电极的制造装置，是在不使用光阻蚀刻或光阻浮离微影制程的情形下，利用特殊设计的载具，配合磁性组件及磁性光罩贴设于芯片表面，以直接进行金属镀膜，进而完成金属电极的制作。

图1为利用本实用新型制作发光二极管金属电极的流程示意图，首先如步骤S10所示，提供磊芯片，并在进行镀膜前，利用清洗剂进行芯片的清洗，以清除芯片表面的氧化物、污染物以及金属离子；且该清洗剂是由硫酸、双氧水、氨水、磷酸及盐酸等无机药水的至少其中之一与水进行配比混合所组成。

在说明步骤S12之前，先说明本实用新型所使用的制造装置，同时参考图2所示，此制造装置10是装设在一反应室中的蒸镀盘12上，且该蒸镀盘12上是同时设置有多个制造装置10(图中未示)，每一制造装置10包括一载具14，由铝合金材质所构成，在载具14上设有一容置槽16，提供承载一芯片18之用；并在该容置槽16下方且位于该载具14底部是设有一磁性组件20，其材质通常为铝铁硼磁铁、钐钴磁铁或氧化磁铁等具磁性物质。