[实用新型]基板处理装置无效
申请号: | 200720139676.4 | 申请日: | 2007-03-30 |
公开(公告)号: | CN201044235Y | 公开(公告)日: | 2008-04-02 |
发明(设计)人: | 富藤幸雄 | 申请(专利权)人: | 大日本网目版制造株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/30;H01L21/67 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王玉双 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种基板处理装置,该基板处理装置在液晶显示器件(LCD)、等离子显示器件(PDP)、半导体器件、印刷电路板、有机EL(electro luminescence:电致发光)基板、FED(Field emission display:场致发射显示器)基板等的制造工艺中,对LCD或PDP用玻璃基板、半导体基板、印刷电路板、有机EL基板、FED基板等进行各种处理、例如进行清洗处理。
背景技术
在日本的专利文献1(JP特开2004-273984号)中记载有可以对蚀刻处理后的基板表面进行冲洗处理的基板处理装置。即,在处理腔室12的入口侧开口14附近上方配置有狭缝状的入口喷嘴20,当基板W被搬入到水洗处理部10的处理腔室12内时,从入口喷嘴20呈帘状供给冲洗液,当基板W进一步向搬送方向下游侧搬送时,从上部射流喷嘴22向基板W的上表面供给冲洗液直到基板W从处理腔室12内搬出为止。这样,通过在处理腔室12入口附近从狭缝状的入口喷嘴20向正下方的基板表面呈帘状供给所需要的冲洗液,从而在短时间内用冲洗液进行置换,其后从上部射流喷嘴22进行冲洗液的供给,由此防止由于残存有在前阶段处理中使用的处理液而导致的、在基板表面上形成的配线图案的形状或线宽的均匀性恶化的情况。
通过使入口喷嘴20为狭缝状从而能够使冲洗液呈帘状喷出,并且为了在基板宽度方向上确保均匀的喷出量,优选使狭缝的间隙窄到零点几毫米的程度。
但是,当狭缝间隙尺寸狭窄时,狭缝的一部分就容易被异物堵住,或容易附着异物。若堵塞异物,则不能从该部分喷出冲洗液,所以冲洗液的帘就会割裂。该割裂会使冲洗液在基板表面的宽度方向上产生供给不均,因此在基板的宽度方向上会产生处理不均,从而不能实现均匀的处理。
发明内容
本实用新型鉴于上面的情况而提出的,其目的在于提供一种基板处理装置,通过至少两次呈帘状供给处理液而显著降低在基板的表面供给处理液不均的发生概率,且通过增大处理液的供给量来提高处理液的置换性能。
本实用新型的第一方案是一种基板处理装置,其在处理槽内对在搬送路径上搬送的基板供给处理液,从而进行给定的处理,其特征在于,该装置包括处理液供给机构,该处理液供给机构配置在所述搬送路径的上方位置处,向搬送中的基板供给处理液,所述处理液供给机构至少具有第一处理液供给机构和第二处理液供给机构,所述第一、第二处理液供给机构分别具有向所述搬送路径的宽度方向呈帘状喷出处理液的细长的第一、第二喷出口。
根据该结构,从细长的第一、第二喷出口分别向基板的宽度方向上的表面呈帘状均匀的供给处理液。还有,在一个处理液喷出口被异物堵塞等的情况下,即使在处理液帘的对应部位产生割裂,但是由于在另一个处理液帘的相同部位产生割裂的可能性极低,因此能够显著降低在基板表面处理液供给不均的产生概率,且由于处理液的供给量增大而提高了处理液的置换性能以及置换品质。
本实用新型的第二方案是如第一方案所述的基板处理装置,其特征在于,所述第一、第二喷出口朝向基板搬送方向。根据该结构,处理液落到基板上之后,会沿搬送方向流动,因此能够抑制搬送方向更下游侧的处理液逆流到上游侧的情况,所以适合进行处理液的置换。
本实用新型的第三方案是如第一方案所述的基板处理装置,其特征在于,所述第一、第二处理液供给机构在上下方向上具有层叠结构,且一体构成。根据该结构,仅通过调整一个处理供给机构的位置或角度就能够同时设定第一、第二处理液供给机构,因此调整等操作变得容易。
本实用新型的第四方案是如第三方案所述的基板处理装置,其特征在于,所述第一、第二处理液供给机构由三个构件在上下方向上层叠成一体而构成,其中该三个构件形状相同,且具有在所述宽度方向上细长的长方体形状,并且相互相邻的构件在相对置的部位、且在相互错开的位置处分别具有作为内部空间的处理液存积部,并且分别具有从各处理液存积部延伸到搬送方向下游侧的喷出口处的喷出路径。根据该结构,在三个构件中,在相互相邻的构件上,在相对置的部位且相互错开的位置处分别形成有作为内部空间的处理液存积部,各处理液从各自的处理液存积部经喷出路径导入到喷出口,并从喷出口喷出。
本实用新型的第五方案是如第四方案所述的基板处理装置,其特征在于,所述第一、第二处理液供给机构分别具有自所述各处理液存积部穿设到所述构件上表面的处理液注入路径。根据该结构,各处理液从所述第一、第二处理液供给机构的上方,经各自的处理液注入路径输送到所对应的处理液存积部。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大日本网目版制造株式会社,未经大日本网目版制造株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200720139676.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电缆寻踪识别仪
- 下一篇:电子装置壳体的扣合结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造