[实用新型]基板处理装置无效
申请号: | 200720139676.4 | 申请日: | 2007-03-30 |
公开(公告)号: | CN201044235Y | 公开(公告)日: | 2008-04-02 |
发明(设计)人: | 富藤幸雄 | 申请(专利权)人: | 大日本网目版制造株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/30;H01L21/67 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王玉双 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,其在处理槽内对在搬送路径上搬送的基板供给处理液,从而进行给定的处理,其特征在于,该装置包括处理液供给机构,该处理液供给机构配置在所述搬送路径的上方位置处,向搬送中的基板供给处理液,所述处理液供给机构至少具有第一处理液供给机构和第二处理液供给机构,所述第一、第二处理液供给机构分别具有向所述搬送路径的宽度方向呈帘状喷出处理液的细长的第一、第二喷出口。
2.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述第一、第二喷出口朝向基板搬送方向。
3.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述第一、第二处理液供给机构在上下方向上具有层叠结构,且一体构成。
4.如权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,所述第一、第二处理液供给机构由三个构件在上下方向上层叠成一体而构成,其中该三个构件形状相同,且具有在所述宽度方向上细长的长方体形状,并且相互相邻的构件在相对置的部位、且在相互错开的位置处分别具有作为内部空间的处理液存积部,并且分别具有从各处理液存积部延伸到搬送方向下游侧的喷出口处的喷出路径。
5.如权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,所述第一、第二处理液供给机构分别具有自所述各处理液存积部穿设到所述构件上表面的处理液注入路径。
6.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述第一、第二处理液供给机构的第一、第二喷出口相对水平方向倾斜约20°。
7.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,具有调节构件,该调节构件在上下方向上调节所述第一、第二处理液供给机构的位置。
8.如权利要求7所述的基板处理装置,其特征在于,通过所述调节构件对所述第一、第二处理液供给机构的高度进行调整,使得来自所述第一、第二喷出口的喷出液在搬送路径上的搬送方向上落到大致相同的位置上。
9.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述处理槽具有接收所述基板的入口开口,所述处理液供给机构位于所述处理槽内,配置于所述入口开口附近。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造