[实用新型]高速开关管浮动栅极驱动电路无效

专利信息
申请号: 200720122639.2 申请日: 2007-08-31
公开(公告)号: CN201113944Y 公开(公告)日: 2008-09-10
发明(设计)人: 卫强 申请(专利权)人: 深圳市圣美歌科技有限公司
主分类号: H03K17/04 分类号: H03K17/04;H03K17/687;H03K17/60
代理公司: 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 代理人: 易钊
地址: 518129广东省深圳市龙岗*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 高速 开关 浮动 栅极 驱动 电路
【权利要求书】:

1、一种高速开关管浮动栅极驱动电路,包括开关管,其特征在于,其中以开关管的源极或发射极作为浮地,还包括:

光耦电路(304),用于将原始驱动信号(302)处理为基于所述浮地的驱动信号(F_DRV);

上升沿调整及信号放大电路(307),其输入端与所述光耦电路的输出端连接,输出端与所述开关管的栅极(G)连接,用于对所述浮地驱动信号进行上升沿调整及信号放大电路处理;

电源电路,分别向所述光耦电路输出基于所述浮地的第一工作电源(F5V)、向所述上升沿调整及信号放大电路输出基于所述浮地的第二工作电源(F12V)。

2、根据权利要求1所述的高速开关管浮动栅极驱动电路,其特征在于,所述光耦电路的正输入端接所述原始驱动信号,负输入端接地,正输出端输出所述浮地驱动信号,负输出端则接所述浮地。

3、根据权利要求2所述的高速开关管浮动栅极驱动电路,其特征在于,所述浮地驱动信号经上拉电阻R5接所述第一工作电源(F5V)。

4、根据权利要求2所述的高速开关管浮动栅极驱动电路,其特征在于,在所述上升沿调整及信号放大电路中,

所述浮地驱动信号经抗饱和电路接三极管Q7的基极;

所述三极管Q7的集电极连接至三极管Q5的基极,还经电阻R7接所述第二工作电源(F12V),并经电阻R11连接至三极管Q8的基极;

所述三极管Q7的发射极、三极管Q8集电极接所述浮地;

所述三极管Q5的发射极接三极管Q8发射极,并经电阻R9与所述开关管的栅极(G)连接。

5、根据权利要求4所述的高速开关管浮动栅极驱动电路,其特征在于,所述抗饱和电路中包括电阻R8、电容C2、电阻R10;所述电阻R8的一端接所述浮地驱动信号,另一端经所述电容C2接所述三极管Q7的基极;所述电阻R10与所述电容C2并联。

6、根据权利要求5所述的高速开关管浮动栅极驱动电路,其特征在于,所述电阻R7为可调电阻。

7、根据权利要求1-6中任一项所述的高速开关管浮动栅极驱动电路,其特征在于,

所述电源电路中包括高频变压器(303)、整流滤波电路(305)、以及稳压电路(306);

所述整流滤波电路及稳压电路的接地端均接所述浮地;

所述高频变压器初级的一端接高频开关信号,另一端接地;

所述高频变压器次级的一端接所述整流滤波电路的输入端,另一端接所述浮地;

所述整流滤波电路的输出端向所述上升沿调整及信号放大电路输出第二工作电源(F12V),并与所述稳压电路的输入端连接;

所述稳压电路的输出端向所述光耦电路输出第一工作电源(F5V)。

8、根据权利要求1-6中任一项所述的高速开关管浮动栅极驱动电路,其特征在于,所述开关管为MOSFET,其中以MOSFET的源极作为浮地。

9、根据权利要求1-6中任一项所述的高速开关管浮动栅极驱动电路,其特征在于,所述开关管为IGBT,其中以IGBT的发射极作为浮地。

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