[实用新型]集成电路引线框架

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体元件，具体讲是一种集成电路引线框架。

背景技术

引线框架是制造集成电路这一半导体元件的基本部件，实际运用中，还需在其封装区域表面电镀金属层，再利用塑封料对基岛和小焊点封装，进而固定成一整体的半导体元件。

现有技术的IC(注：行业通用类型，包括通用型号DIP-双8、DIP-14、DIP-16、SOP、QFP等)集成电路引线框架的电镀区域覆盖了基岛和小焊点的全部面积。由于引线框架、电镀层、塑封料分别由不同的材料制作，各材料的热膨胀系数都不相同，尤其是电镀层与塑封料之间的结合力不理想，所以，现有技术的IC集成电路引线框架的电镀结构严重影响了引线框架和塑封料之间的结合力与密封强度，从而影响了引线框架的质量，且提高了电镀成本，同时还增加了电镀排放时对环境的污染。

发明内容

本实用新型要解决的技术问题是，提供一种既能满足产品原有封装要求，又增强引线框架与塑封料之间的结合力和密封强度，提高产品质量并降低电镀成本和减少电镀排放时对环境污染的(IC)集成电路引线框架。

本实用新型为解决上述问题所采用的技术方案为：提供一种具有以下电镀结构的(IC)集成电路引线框架，包括边带、导脚、导脚连接筋、位于框架横向中间的基岛、基岛连接筋、位于基岛四周的多个小焊点，在基岛的正面表面不设金属电镀层，在多个小焊点的正面表面全部覆盖有金属电镀层，从而形成内空的矩形环状的电镀区域。

采用以上结构后，本实用新型集成电路引线框架与现有技术的IC集成电路引线框架相比，具有以下优点：

由于缩小了电镀区域的范围，换句话说，引线框架与塑封料的结合处有一部分表面没有电镀层，这样，就相对增强了引线框架与塑封料之间的结合力度即紧密度和密封强度，提高了集成电路引线框架的质量，既满足了产品原有的封装要求，又大面积减少了金属电镀层，减少了金属电镀层的材料消耗，降低了生产成本，同时还减少了电镀时带来的有害物质排放对环境的污染。

附图说明

图1A是现有技术的IC类型中的通用型号为DIP-双8的集成电路引线框架的结构示意图。

图1B是现有技术的IC类型中的通用型号为DIP-双8的集成电路引线框架的电镀结构示意图。

图2是本实用新型IC类型中的通用型号为DIP-双8的集成电路引线框架的电镀结构示意图。

图3是本实用新型IC类型中的通用型号为DIP-14的集成电路引线框架的电镀结构示意图。

图4是本实用新型IC类型中的通用型号为DIP-16的集成电路引线框架的电镀结构示意图。

图中所示1、边带，2、导脚，3、导脚连接筋，4、基岛，5、基岛连接筋，6、小焊点，7、现有技术的电镀区域，8、现有技术的电镀层(指所有的阴影部分)，9、本实用新型的电镀区域，10、本实用新型的电镀层(指所有的阴影部分)。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步详细说明。

如图1A所示，现有技术的IC类型如通用型号为DIP-双8的集成电路引线框架包括边带1、导脚2、导脚连接筋3、位于框架横向中间的基岛4、基岛连接筋5、位于基岛4四周的多个小焊点6，以上各部件之间采用现有技术的常规结构连接。如图1B所示，其电镀区域7为一矩形：电镀层8覆盖了基岛4和小焊点6正面表面的全部面积，并包括了基岛连接筋5上被矩形电镀区域7包括的少部分。

如图2、图3、图4所示，本实用新型的IC类型如通用型号为DIP-双8、DIP-14、DIP-16的集成电路引线框架，也包括边带1、导脚2、导脚连接筋3、位于框架横向中间的基岛4、基岛连接筋5、位于基岛4四周的多个小焊点6。以上各部件之间也采用现有技术的常规结构连接，即以上各型号的部件及其连接关系都与现有技术的各原有型号的零部件及其连接关系相同，在此不再赘述。

本实用新型的特点是，在基岛4的正面表面不设金属电镀层，在基岛连接筋5上除被矩形环状电镀区域9包括的部分外也不设金属电镀层，而在多个小焊点6的正面表面全部覆盖有金属电镀层10。即电镀区域9为内空的矩形环状区域：金属电镀层10(如银电镀层)覆盖了多个小焊点6的正面表面的全部面积。虽然图中未示出，但在此特点上，本实用新型的IC类型中的其它通用型号如SOP和QFP等，与上述已示出的三种型号完全相同。