[实用新型]谐振式双片中性电极监测系统无效
申请号: | 200720076567.2 | 申请日: | 2007-11-09 |
公开(公告)号: | CN201088626Y | 公开(公告)日: | 2008-07-23 |
发明(设计)人: | 储振宏;张挺 | 申请(专利权)人: | 上海沪通电子有限公司 |
主分类号: | A61B18/14 | 分类号: | A61B18/14;A61B5/053 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人: | 徐伟奇 |
地址: | 200051上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 谐振 式双片 中性 电极 监测 系统 | ||
技术领域:
本实用新型涉及一种医疗用高频手术设备,特别涉及一种具有强抗干扰能力的高频手术设备用谐振式双片中性电极监测系统。
背景技术:
高频电刀也称高频手术设备,是一种取代机械手术刀进行切割和凝血的电外科器械。它通过手术电极尖端产生的高频高压电流与肌体接触时对组织进行加热,实现对肌体组织的分离和凝固,从而起到切割和止血的目的。单极高频手术设备必须配备一个能够安全地分散并收集和返回高频手术电流的中性电极,常规中性电极由一块大面积薄金属板或金属箔构成,手术过程中必须始终保证其与患者身体紧密而均匀地接触,将任何接触面积上流通的高频电流密度降到一个安全阈值(通常为0.2A/cm2)以下,方能保证不发生灼伤事故。为了随时监测和保证接触质量,人们将中性电极一分为二,并涂以导电粘胶,使之紧贴于患者身体的合适部位,再施加一微弱的检测电流(<100μA),就可以检测患者与中性电极接触部位的阻抗,以此来监视中性电极与患者的接触面积和接触紧密程度,这就是中性电极接触质量监测器,即双片式中性电极监测系统。
由于中性电极与患者接触且工作于高频通流状态下,中性电极接触质量监测器的微弱检测信号往往受到高频干扰,而现有的双片式中性电极监测系统由于采用的振荡级频率较高(例100kHz以上),与高频手术设备工作频率比较接近,其阻抗变换级不处于谐振状态,以及信号检测级(滤波放大)为单电源,只能处理正向信号等原因,导致线路自身的抗干扰能力不强,无法准确连续地检测出中性电极与患者的接触阻抗,达不到真正保护患者的目的。
发明内容:
本实用新型所要解决的技术问题是克服高频手术设备启动工作时现有双片式中性电极监测系统抗干扰性差的缺陷,提供一种抗干扰性能优异的高频手术设备用谐振式双片中性电极监测系统,以保证正确、连续地检测中性电极与患者之间的接触面积和接触程度,从而保证患者进行高频电手术时的安全。
本实用新型解决其技术问题所采取的技术方案是:
一种谐振式双片中性电极监测系统,包括振荡级、阻抗变换级和信号检测级,所述振荡级为可调频率中频振荡电路,用以产生数十kHz中频振荡信号送阻抗变换级;所述阻抗变换级为高Q值谐振式阻抗变换电路,用以接收中性电极与患者皮肤的接触阻抗信号,并将之变换为具有正相关关系的反映信号送入信号检测级;所述信号检测级为开关式反向信号检测电路,用以产生与中性电极与患者接触质量具有正相关关系的监测信号,并送CPU作为接触质量的判断依据。
本实用新型所述的谐振式双片中性电极监测系统的振荡级是一个CMOS-RC振荡器,其振荡频率可调节且与后接阻抗变换级的谐振频率一致,其所产生的中频振荡信号的频率为50~80kHz;所述阻抗变换级由一个隔离耦合高频变压器和若干高频电容组成,该隔离耦合高频变压器的付边与接触患者的中性电极相连;所述信号检测级由一LC2MOS模拟开关、一反向放大器和一正向放大器构成,该LC2MOS模拟开关由正负电源供电,该反向放大器和正向放大器依次连接于LC2MOS模拟开关之后,该正向放大器将接触质量的监测信号输送CPU;所述CPU可以替换为能够对中性电极与患者接触质量作出判断的数字电路。
与现有的双片中性电极监测系统相比较,本实用新型采用了振荡频率较低的中频振荡级,只有数十kHz,远离了高频手术设备的工作频率(一般为0.3~0.5MHz),因而不易受到高频手术设备工作电流的干扰影响;再而,所述谐振式双片中性电极监测系统采用了高Q值谐振式的阻抗变换级,其处于与上述振荡频率的谐振状态,提高了选频能力,因此能有力地扼制住高频手术电流对检测信号的侵袭;此外,所述谐振式双片中性电极监测系统采用了正负电源供电的高速低阻LC2MOS模拟开关作整流滤波和反向放大器进行信号放大及处理,提高了本身的抗干扰能力,并取消了双重变压器隔离和屏蔽措施,简化了系统结构。总之,本实用新型所述的谐振式双片中性电极监测系统采取了多重技术措施,提高了系统对高频手术设备工作电流的抗干扰能力,达到了准确、连续地监测中性电极与患者皮肤的接触质量的效果,从而防止患者的意外灼伤,保证了患者进行高频电手术时的安全。
附图说明:
图1是本实用新型的结构原理框图。
图2是本实用新型的电路原理图。
具体实施方式:
下面结合具体实施例和附图对本实用新型作进一步说明。
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