[实用新型]谐振式双片中性电极监测系统无效

专利信息
申请号: 200720076567.2 申请日: 2007-11-09
公开(公告)号: CN201088626Y 公开(公告)日: 2008-07-23
发明(设计)人: 储振宏;张挺 申请(专利权)人: 上海沪通电子有限公司
主分类号: A61B18/14 分类号: A61B18/14;A61B5/053
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 代理人: 徐伟奇
地址: 200051上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 谐振 式双片 中性 电极 监测 系统
【权利要求书】:

1.一种谐振式双片中性电极监测系统,包括振荡级(1)、阻抗变换级(2)和信号检测级(3),其特征在于:所述振荡级(1)为可调频率中频振荡电路,用以产生数十kHz中频振荡信号送阻抗变换级(2);所述阻抗变换级(2)为高Q值谐振式阻抗变换电路,用以接收中性电极与患者皮肤的接触阻抗信号,并将之变换为具有正相关关系的反映信号送入信号检测级(3);所述信号检测级(3)为开关式反向信号检测电路,用以产生与中性电极与患者接触质量具有正相关关系的监测信号,并送CPU作为接触质量的判断依据。

2.根据权利要求1所述的谐振式双片中性电极监测系统,其特征在于:所述振荡级(1)所产生的中频振荡信号的频率为50~80kHz。

3.根据权利要求1或2所述的谐振式双片中性电极监测系统,其特征在于:所述振荡级(1)是一个CMOS-RC振荡器,其振荡频率可调节且与后接阻抗变换级(2)的谐振频率一致。

4.根据权利要求1或2所述的谐振式双片中性电极监测系统,其特征在于:所述阻抗变换级(2)由一个隔离耦合高频变压器和若干高频电容组成,该隔离耦合高频变压器的付边与接触患者的中性电极相连。

5.根据权利要求1或2所述的谐振式双片中性电极监测系统,其特征在于:所述信号检测级(3)由一LC2MOS模拟开关、一反向放大器和一正向放大器构成,该LC2MOS模拟开关由正负电源供电,该反向放大器和正向放大器依次连接于LC2MOS模拟开关之后,该正向放大器将接触质量的监测信号输送CPU。

6.根据权利要求1或2所述的谐振式双片中性电极监测系统,其特征在于:所述CPU可以替换为能够对中性电极与患者接触质量作出判断的数字电路。

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