[实用新型]硅衬底平面LED集成芯片

权利要求书

1.一种硅衬底平面LED集成芯片，包括若干个LED裸芯片(1)和硅衬底(2)，所述LED裸芯片(1)包括衬底(10)和N型外延层(11)、P型外延层(12)，其特征在于：所述硅衬底(2)顶面于每个所述LED裸芯片(1)处有两个分离的沉积金属层(3)，若干个所述LED裸芯片(1)正装或倒装焊接在各所述金属层(3)上，所述硅衬底(2)于每个所述LED裸芯片(1)处有一个阱区(7)，各所述金属层(3)与所述硅衬底(2)的结合区分别还有一个掺杂的隔离层(5)，所述隔离层(5)位于所述阱区(7)内，各所述LED裸芯片(1)对应的所述金属层(3)之间设有阻挡层(6)，所述金属层(3)引出阳极接点(80)和阴极接点(81)。

2.根据权利要求1所述的硅衬底平面LED集成芯片，其特征在于：所述衬底(10)为砷化镓或碳化硅衬底，所述衬底(10)直接焊接在所述金属层(3)上、所述P型外延层(12)通过金属线(41)对应焊接在相邻的一个所述金属层(3)上。

3.根据权利要求1所述的硅衬底平面LED集成芯片，其特征在于：所述衬底(10)为氧化铝衬底，所述衬底(10)正装焊接或粘贴在所述金属层(3)上，所述P型外延层(12)、所述N型外延层(11)分别通过金属线(43、45)焊接在相邻的所述金属层(3)上。

4.根据权利要求2或3所述的硅衬底平面LED集成芯片，其特征在于：所述金属线(41、43、45)为金线或铝线或铜线。

5.根据权利要求1所述的硅衬底平面LED集成芯片，其特征在于：所述P型外延层(12)、所述N型外延层(11)分别通过焊球(42)倒装焊接在所述金属层(3)上。

6.根据权利要求5所述的硅衬底平面LED集成芯片，其特征在于：所述焊球(42)为金球栓或铜球栓或锡球。

7.根据权利要求1或2或3或5或6所述的硅衬底平面LED集成芯片，其特征在于：若干个所述LED裸芯片(1)之间并联或串联或串并联组合连接。

8.根据权利要求1或2或3或5或6所述的硅衬底平面LED集成芯片，其特征在于：所述硅衬底(2)为N型或P型，所述阱区(7)与所述硅衬底(2)极性相反，所述隔离层(5)与所述硅衬底(2)极性相同，所述金属层(3)为金属铝或铜或硅铝合金。