[发明专利]在半导体器件中形成接触的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括:

提供衬底；

在所述衬底上方形成绝缘层；

在所述绝缘层上方形成用于接触孔的光刻胶图案，其中所述光刻胶图案包含临界尺寸(CD)大于所需的接触CD的开口；

使用所述光刻胶图案，通过选择性地蚀刻所述绝缘层形成接触孔；和

在所述接触孔的侧壁上形成隔离物，直到侧壁被所述隔离物覆盖的所述接触孔的CD减少至所需的接触CD。

2.权利要求1所述的方法，其中所述所需的接触CD是由半导体器件的设计规则所限定的CD。

3.权利要求1所述的方法，其中所述衬底包含位线，所述位线具有在所述绝缘层下方顺序形成的位线导电层和位线硬掩模层，通过蚀刻所述绝缘层和所述位线硬掩模层来实施接触孔的形成以暴露出所述位线导电层。

4.权利要求1所述的方法，其中还包括在形成所述光刻胶图案之前，在所述绝缘层上方形成硬掩模层。

5.权利要求4所述的方法，其中使用通过所述光刻胶图案来图案化的所述硬掩模层以实施所述接触孔的形成。

6.权利要求1所述的方法，其中形成所述隔离物包括:

在包含所述接触孔的所得结构的表面上方形成用于隔离物的绝缘层；和

移除在所述接触孔的底部中用于所述隔离物的所述绝缘层。

7.权利要求6所述的方法，其中用于所述隔离物的所述绝缘层由基于氧化物的层制成。

8.权利要求7所述的方法，其中用于所述隔离物的所述绝缘层包含03-未掺杂硅酸盐玻璃(USG)层、等离子体增强的原硅酸四乙酯(PETE0S)层、硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)层、磷硅酸盐玻璃(PSG)层、或其组合。

9.权利要求7所述的方法，其中用于所述隔离物的所述绝缘层的厚度为约约

10.权利要求6所述的方法，其中通过毯覆式干蚀刻工艺来实施在所述接触孔的底部中用于所述隔离物的所述绝缘层的移除。

11.权利要求7所述的方法，其中形成所述隔离物还包括在移除所述接触孔的底部中用于所述隔离物的绝缘层之后，实施平坦化工艺。

12.权利要求6所述的方法，其中使用接触式化学机械抛光(CMP)法来实施所述平坦化工艺。

13.权利要求12所述的方法，其中以约～约的抛光目标来实施所述接触式CMP法。

14.权利要求1所述的方法，其中所述接触孔具有选择的临界尺寸(CD)，以使得所述接触孔不侵入任何邻近的接触孔。

15.权利要求1所述的方法，其中还包括在形成所述隔离物之后利用导电材料填充所述接触孔来形成接触。