[发明专利]形成快闪存储器件的介电层的方法无效
| 申请号： | 200710305609.X | 申请日： | 2007-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101217130A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 洪权;李东浩;金在文;金熙洙;具栽亨 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/28;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/51 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 闪存 器件 介电层 方法 | ||
1.一种形成快闪存储器件的介电层的方法，所述方法包括：
在半导体衬底上形成隧道氧化物层和用于浮置栅极的导电层；
图案化所述用于浮置栅极的导电层和所述隧道氧化物层；
在包括所述图案化的用于浮置栅极的导电层和所述图案化的隧道氧化物层的所述半导体衬底上形成介电层，其中所述介电层包括第一氧化物层、高介电层、和第二氧化物层；和
在所述包括介电层的半导体衬底上形成用于控制栅极的导电层。
2.权利要求1的方法，其中通过在包括所述图案化的用于浮置栅极的导电层和所述图案化的隧道氧化物层的所述半导体衬底上顺序形成所述第一氧化物层、所述高介电层、和所述第二氧化物层形成所述介电层。
3.权利要求1的方法，其中用于所述浮置栅极的所述导电层具有由不含杂质的无定形多晶硅膜和含有杂质的多晶硅膜构成的双膜。
4.权利要求1的方法，其中用于所述浮置栅极的所述导电层具有约500～2000埃的厚度。
5.权利要求4的方法，其中使用CVD方法形成所述导电层。
6.权利要求1的方法，其中所述第一氧化物层具有约10～50埃的厚度。
7.权利要求1的方法，其中使用HTO方法形成所述第一氧化物层。
8.权利要求1的方法，其中使用ALD方法形成所述高介电层。
9.权利要求1的方法，其中使用纳米混合方法形成所述高介电层。
10.权利要求1的方法，其中通过将HfO2、ZrO2、La2O3、Ta2O5、Y2O3和TiO2与Al2O3混合形成所述高介电层。
11.权利要求10的方法，其中HfO2、ZrO2、La2O3、Ta2O5、Y2O3和TiO2与Al2O3的比率为约9∶1～2∶1。
12.权利要求1的方法，其中所述高介电层具有约30～500埃的厚度。
13.权利要求1的方法，其中通过原位沉积非晶膜形成所述高介电层。
14.权利要求1的方法，其中所述第二氧化物层具有约10～50埃的厚度。
15.权利要求14的方法，其中使用HTO方法形成所述第二氧化物层。
16.权利要求1的方法，其中用于所述控制栅极的导电层具有约500～2000埃的厚度。
17.权利要求1的方法，其中所述导电层包括多晶硅膜。
18.权利要求1的方法，其中使用CVD方法形成所述导电层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
