[发明专利]对由图案分成的特征进行基于模式的OPC的方法和设备有效

专利信息
申请号: 200710305183.8 申请日: 2007-09-13
公开(公告)号: CN101276141A 公开(公告)日: 2008-10-01
发明(设计)人: 徐端夫·斯蒂芬;朴正哲;道格拉斯·范登布罗埃克;陈剑方 申请(专利权)人: ASML蒙片工具有限公司
主分类号: G03F1/14 分类号: G03F1/14;G03F7/20;H01L21/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 王新华
地址: 荷兰维*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 图案 分成 特征 进行 基于 模式 opc 方法 设备
【权利要求书】:

1. 一种用于将包括待印制到晶片上的特征的目标电路图案分解成为多个图案的方法,包括步骤:

将待印制的所述特征分离成第一图案和第二图案;

在所述第一图案和所述第二图案上,执行第一光学邻近校正工艺;

确定所述第一图案和所述第二图案的成像性能;

确定在所述第一图案和所述第一图案的所述成像性能之间的第一误差,以及确定在所述第二图案与所述第二图案的所述成像性能之间的第二误差;

利用所述第一误差调整所述第一图案,以产生修正的第一图案;

利用所述第二误差调整所述第二图案,以产生修正的第二图案;以及

对所述修正的第一图案和所述修正的第二图案应用第二光学邻近校正工艺。

2. 根据权利要求1所述的用于分解目标电路图案的方法,其中,利用基于规则的分解工艺,将所述特征分离成所述第一图案和所述第二图案。

3. 根据权利要求1所述的用于分解目标电路图案的方法,其中,利用基于模式的分解工艺,将所述特征分离成所述第一图案和所述第二图案。

4. 根据权利要求1所述的用于分解目标电路图案的方法,其中,所述第一光学邻近校正工艺和所述第二光学邻近校正工艺是相同的工艺。

5. 根据权利要求4所述的用于分解目标电路图案的方法,其中,所述第一光学邻近校正工艺和所述第二光学邻近校正工艺利用基于规则的校正工艺。

6. 根据权利要求4所述的用于分解目标电路图案的方法,其中,所述第一光学邻近校正工艺和所述第二光学邻近校正工艺利用基于模式的校正工艺。

7. 根据权利要求所述1的用于分解目标电路图案的方法,其中,在与第一图案和第二图案相关联的缝接区域中确定所述第一误差和所述第二误差。

8. 一种计算机可读存储介质,其存储用于将包括待印制到晶片上的特征的目标电路图案分解成为多个图案的计算机程序,其中所述计算机程序在执行时使计算机执行步骤:

将待印制的特征分离成第一图案和第二图案;

在所述第一图案和所述第二图案上执行第一光学邻近校正工艺;

确定所述第一图案和所述第二图案的成像性能;

确定在所述第一图案和所述第一图案的所述成像性能之间的第一误差,以及确定在所述第二图案和所述第二图案的所述成像性能之间的第二误差;

利用所述第一误差调整所述第一图案,以产生修正的第一图案;

利用所述第二误差调整所述第二图案,以产生修正的第二图案;以及

对所述修正的第一图案和所述修正的第二图案应用第二光学邻近校正工艺。

9. 根据权利要求8所述的计算机可读存储介质,其中,利用基于规则的分解工艺,将所述特征分离成所述第一图案和所述第二图案。

10. 根据权利要求所述8的计算机可读存储介质,其中,利用基于模式的分解工艺,将所述特征分离成所述第一图案和所述第二图案。

11. 根据权利要求所述8的计算机可读存储介质,其中,所述第一光学邻近校正工艺和所述第二光学邻近校正工艺是相同的工艺。

12. 根据权利要求11所述的计算机可读存储介质,其中,所述第一光学邻近校正工艺和所述第二光学邻近校正工艺利用基于规则的校正工艺。

13. 根据权利要求11所述的计算机可读存储介质,其中,所述第一光学邻近校正工艺和所述第二光学邻近校正工艺利用基于模式的校正工艺。

14. 根据权利要求8所述的计算机可读存储介质,其中,在与第一图案和第二图案相关联的缝接区域中确定所述第一误差和所述第二误差。

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