[发明专利]减少在非易失性存储设备和相关设备中的写时间的方法

说明书

技术领域

本发明涉及存储设备及相关的操作方法，特别地涉及非易失性存储设备及相 关的操作方法。

背景技术

在没有电源的情况下，基于半导体存储设备保持数据的能力，可以将半导体 存储设备分为易失性和非易失性类型。易失性存储设备可以包括静态和动态随机 存取存储器，(也就是SRAM和DRAM)，而非易失性存储设备可以包括只读存储 器(ROM)。ROM可以具有多种类型，例如可擦除和可编程ROM(EPROM)、 电EPROM(EEPROM)、闪存，等等。

非易失性存储设备可提供多种优势，因为它们可以提供更小的尺寸、更低的 能量消耗，和/或高级的读/写性能。例如，可将闪存用于向便携式设备提供芯上存 储器，所述便携式设备可能需要相对快速的数据更新，例如蜂窝式电话、数码相 机、音频/视频记录器、调制解调器、智能卡，等等。

可能需要向某些非易失性存储设备提供高于电源电压的电压，在下文中，将 所述电压称为“高电压”，例如，采用F-N隧道、源极端沟道热电子注入等机制的 写操作。虽然可以从电源电压产生所述高电压，但是产生所要求的高电压或目标 电压电平可能要花费时间，在此也将其称为“建立时间”。一旦所述高电压达到目标 电平，可将其施加到一选定的存储单元(或选定的多个存储单元)一段预定的时 间，在此也将其称为“写时间”。写操作可以包括编程和擦除操作。在执行了写操作 之后，可以将施加到一选定的存储单元(或选定的多个存储单元)的所述高电压 放电一段预定的时间，在此也将其称为“放电时间”。图1图示了在如上所述的写操 作期间高电压的波形变化。如图1所示，如果执行连续的写操作，可以重复进行 包括建立时间、写时间和放电时间的上述过程。

因此，当连续写入存储设备的数据量和/或连续写周期的数量增加时，管理写 时间可能变得日益重要。

发明内容

根据本发明的一些实施例，一种操作非易失性存储设备的方法包括在连续写 操作的执行之间的时期，对于编程和/或擦除所述非易失性存储设备的存储单元 将写电压维持在预定电压电平。在一些实施例中，作为对开始写命令的响应，可 以激活在预定电压电平上的写电压，并且，响应于指示连续写命令的信号，可以 阻止写电压的放电。

根据本发明的其它实施例，一种用于向非易失性存储设备写入数据的方法可 以包括响应于指示连续写命令的信号，激活写加速使能信号；响应于所述写加速 使能信号和开始写命令，产生写电压；以及响应于所述写加速使能信号的激活， 在连续写操作的执行及其之间的时期，连续地将写电压维持在预定电压电平。

在一些实施例中，响应于所述写加速使能信号的激活，在连续写操作的执行 之间的时期，可以阻止所述写电压的放电。

在其它的实施例中，所述方法可以进一步包括响应于指示所述连续写操作结 束的信号，使所述写加速使能信号失效，并且响应于所述写加速使能信号，中断 所述写电压的产生。

在一些实施例中，所述连续写操作可以包括编程和/或擦除操作。

在其它实施例中，当所述连续写操作对于编程操作时，可以向所述非易失性 存储设备的源极线提供所述写电压。

在一些实施例中，当所述连续写操作为擦除操作时，可以向所述非易失性存 储设备的字线提供所述写电压。

在其它实施例中，指示连续写命令的所述信号可以是连续写开始命令。

在一些实施例中，指示所述连续写命令的所述信号可以是从外部设备提供的 标志信号。

在其它实施例中，所述方法可以进一步包括在所述连续写操作的执行期间， 响应于寻址的改变，检测向下一页写入的命令，响应检测到的向下一页写入的命 令，中断向前一页存储单元提供的写电压，存储至少一部分向前一页存储单元提 供的写电压，在存储了向前一页存储单元提供的写电压之后，将来自前一页存储 单元的残余电压放掉，并且连同所述存储的写电压一起向下一页的存储单元提供 写电压。

在一些实施例中，所述方法可以进一步包括响应于所述写加速使能信号和所 述写命令，为所述连续写操作产生写电压。

在其它实施例中，当所述写加速使能信号被无效时，中断所述写电压的产生。

在一些实施例中，当对应于下一页的所述连续写操作的最后一个操作结束时， 将所述写电压放电。