[发明专利]减少在非易失性存储设备和相关设备中的写时间的方法有效
申请号: | 200710303586.9 | 申请日: | 2007-12-13 |
公开(公告)号: | CN101295543A | 公开(公告)日: | 2008-10-29 |
发明(设计)人: | 金善券;李炳勋 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 钱大勇 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 减少 非易失性 存储 设备 相关 中的 时间 方法 | ||
1.一种操作非易失性存储设备的方法,所述方法包括:
在连续写操作的执行之间的时期,对于编程和/或擦除所述非易失性存储设 备的存储单元将写电压维持在预定电压电平,其中,所述预定电压电平为高于 电源电压的写操作高电压的电平,其中,维持所述写电压包括:
响应于开始写命令,将所述写电压激活到所述预定电压电平;以及
响应于指示连续写命令的信号,阻止所述写电压的放电。
2.一种操作非易失性存储设备的方法,所述方法包括:
在连续写操作的执行之间的时期,对于编程和/或擦除所述非易失性存储设 备的存储单元将写电压维持在预定电压电平,其中,所述预定电压电平为高于 电源电压的写操作高电压的电平,
其中,维持所述写电压包括:
响应于指示连续写命令的信号,激活写加速使能信号;
响应于开始写命令,产生为所述预定电压电平的写电压;以及
响应于所述写加速使能信号的激活,在所述连续写操作的执行及其之间的时 期,连续地将写电压维持在所述预定电压电平,其中,连续地维持所述写电压包 括:
响应于所述写加速使能信号的激活,在所述连续写操作的执行之间的时期, 阻止所述写电压的放电。
3.根据权利要求2所述的方法,进一步包括:
响应于指示所述连续写操作结束的信号,使所述写加速使能信号失效;以及
响应于所述写加速使能信号的失效,中断所述写电压的产生。
4.根据权利要求1或2所述的方法,其中,所述连续写操作包括编程和/或 擦除操作。
5.根据权利要求4所述的方法,进一步包括:
当所述连续写操作为编程操作时,向所述非易失性存储设备的源极线提供所 述写电压。
6.根据权利要求4所述的方法,进一步包括:
当所述连续写操作为擦除操作时,向所述非易失性存储设备的字线提供所述 写电压。
7.根据权利要求2所述的方法,其中,指示所述连续写命令的所述信号包括 连续写开始命令。
8.根据权利要求2所述的方法,其中,指示所述连续写命令的所述信号包括 从外部设备提供的标志信号。
9.根据权利要求2所述的方法,进一步包括:
在所述连续写操作的执行期间,响应于寻址的改变,检测向下一页写入的命 令;
响应于检测到向下一页写入的命令,中断向前一页的存储单元提供的所述写 电压;
存储至少一部分向所述前一页的存储单元提供的所述写电压;
在存储了向所述前一页的存储单元提供的所述写电压之后,将来自所述前一 页的存储单元的剩余电压放电;以及
连同所述存储的写电压一起向所述下一页的存储单元提供所述写电压。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,产生所述写电压进一步包括:
响应于所述写加速使能信号和所述开始写命令,产生所述写电压。
11.根据权利要求10所述的方法,进一步包括:
当所述写加速使能信号变成不活动时,中断所述写电压的产生。
12.根据权利要求10所述的方法,进一步包括:
当对应于所述下一页的所述连续写操作的最后一个操作结束时,将所述写电 压放电。
13.一种非易失性存储设备,包括:
多个存储单元;以及
控制逻辑块,配置为在连续写操作的执行之间的时期,对于编程和/或擦除所 述非易失性存储设备的存储单元将写电压维持在预定电压电平,其中,所述预定 电压电平为高于电源电压的写操作高电压的电平,其中,维持所述写电压包括: 响应于开始写命令,将所述写电压激活到所述预定电压电平;以及响应于指示连 续写命令的信号,阻止所述写电压的放电。
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