[发明专利]形成半导体器件的接触孔的方法

权利要求书

1.一种形成半导体存储器件的接触孔的方法，所述方法包括：

在半导体衬底上形成蚀刻停止层，其中在所述半导体衬底和所述蚀刻停止层之间形成层间绝缘膜和硬掩模膜；

在所述蚀刻停止层上形成第一图案；

在所述第一图案的侧壁上形成隔离物；

通过在所述隔离物之间用绝缘膜填隙以形成第二图案；

除去接触孔区域的所述隔离物；和

通过利用所述第一图案、所述第二图案和所述隔离物作为蚀刻阻挡层的蚀刻工艺来形成接触孔，所述半导体衬底通过所述接触孔而暴露。

2.权利要求1的方法，其中形成第二图案包括：

在包括所述隔离物的整个表面上形成所述绝缘膜；

在将形成后续接触孔的区域上在位线方向蚀刻所述绝缘膜，其中除去形成在所述隔离物上的所述绝缘膜；和

形成通过除去所述隔离物保留的所述绝缘膜，其中所述绝缘膜形成所述第二图案。

3.权利要求1的方法，其中形成接触孔包括：

通过蚀刻所述蚀刻停止层和所述硬掩模膜形成硬掩模图案，其中使用利用所述第一和第二图案的蚀刻工艺；和

通过利用硬掩模图案作为蚀刻阻挡层的蚀刻工艺来蚀刻所述层间绝缘膜。

4.权利要求1的方法，其中通过在腔室进行的沉积和蚀刻工艺的循环，利用非晶碳层形成所述隔离物。

5.权利要求2的方法，其中利用湿蚀刻工艺实施所述绝缘膜蚀刻过程。

6.权利要求1的方法，其中利用SOG层形成所述绝缘膜。

7.权利要求1的方法，其中利用PE氮化物膜形成所述蚀刻停止层。

8.权利要求1的方法，其中通过调节所述隔离物的厚度来控制所述第一图案和所述第二图案之间的距离。

9.权利要求2的方法，还包括在填隙所述绝缘膜之后，在蚀刻所述绝缘膜之前通过实施固化过程硬化所述绝缘膜。

10.权利要求9的方法，其中所述固化过程在150～250摄氏度的范围内进行，以防止对所述隔离物的破坏。

11.一种形成半导体存储器件的接触孔的方法，所述方法包括：

在其中形成有栅极图案的半导体衬底上形成结构，其中所述结构包括层间绝缘膜、硬掩模膜、蚀刻停止层和多晶硅膜；

图案化所述多晶硅膜以形成第一图案；

在所述第一图案的侧壁上形成隔离物；

在其中形成有所述间隔物的所述第一图案之间用绝缘膜填隙，由此形成第二图案；

通过利用蚀刻工艺，除去其中将形成接触孔的区域上的所述隔离物，其中形成所述蚀刻停止层；和

形成接触孔，所述半导体衬底通过所述接触孔而暴露。

12.权利要求11的方法，其中形成所述接触孔包括顺序蚀刻所述暴露的蚀刻停止层、所述硬掩模膜和所述层间绝缘膜。