[发明专利]柔性显示器件及其制造方法有效
申请号: | 200710301892.9 | 申请日: | 2007-12-20 |
公开(公告)号: | CN101231972B | 公开(公告)日: | 2010-11-10 |
发明(设计)人: | 吴义烈 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L21/768;H01L21/60;H01L27/12;H01L23/522;H01L23/485 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;梁挥 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 显示 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造柔性显示器件的方法,包括:
在玻璃基板一侧形成绝缘保护层;
在绝缘保护层上形成显示器件,该显示器件包括薄膜晶体管阵列和与薄膜晶体管阵列连接的焊盘部分;
在显示器件上粘结柔性基板;以及
去掉玻璃基板。
2.根据权利要求1所述的柔性显示器件制造方法,形成显示器件的方法包括:
在绝缘保护层上形成包括由栅传导层形成的栅线和自栅线延伸出来的栅极的栅传导图;
形成栅绝缘膜覆盖栅传导图;
形成与栅极交迭的半导体图案、设置在半导体图案上包括源极和漏极的源/漏传导图和自源极延伸并与栅线交叉的数据线;
形成保护膜以覆盖半导体图案和源/漏传导图;
形成穿过保护膜和栅绝缘膜曝光栅线的栅接触孔和穿过保护膜曝光数据线的数据接触孔;
形成通过栅接触孔连接到栅线的栅焊盘电极的透明氧化传导层,和通过数据接触孔连接到数据线的数据焊盘电极的透明氧化传导层。
3.根据权利要求2所述的柔性显示器件制造方法包括:
在去掉玻璃基板后在绝缘保护层的外表面上形成光刻胶图案;
用光刻胶图案蚀刻绝缘保护层、栅绝缘膜和保护膜以形成曝光焊盘电极的透明氧化传导层的焊盘孔。
4.根据权利要求1所述的柔性显示器件制造方法,形成显示器件的步骤包括:
在绝缘保护层上形成包括透明氧化传导层的透明传导图和栅传导图,所述透明氧化传导层即数据焊盘电极、栅焊盘电极、自栅焊盘电极延伸出来的栅线和自栅线延伸出来的栅极,所述栅传导图设置在栅焊盘电极、栅线和栅极的透明氧化传导层上;
形成绝缘膜以覆盖透明传导图和栅传导图;
形成曝光数据焊盘电极的透明氧化传导层的数据接触孔;
形成包括与栅极交迭的半导体图案的源/漏传导图、设置在半导体图案上的源极和漏极、自源极延伸出来穿过栅线的数据线和自数据线延伸出来通过数据接触孔连接到数据焊盘电极的透明氧化传导层的数据焊盘电极的源/漏金属层。
5.根据权利要求4所述的柔性显示器件的制造方法包括:
在去掉玻璃基板后在绝缘保护层外表面形成光刻胶图案;
用光刻胶图案蚀刻绝缘保护层以形成曝光焊盘电极的透明氧化传导层的焊盘孔。
6.根据权利要求4所述的柔性显示器件制造方法包括:
在去掉玻璃基板后完全蚀刻绝缘保护层曝光透明传导图。
7.根据权利要求1所述的柔性显示器件制造方法包括:
去掉玻璃基板后,曝光包括在焊盘部分的焊盘电极。
8.根据权利要求7所述的柔性显示器件制造方法,包含在焊盘部分的焊盘电极是单层结构或包括透明氧化传导层的多层结构。
9.根据权利要求8所述的柔性显示器件制造方法,在焊盘部分焊盘电极的透明氧化传导层最接近绝缘保护层。
10.根据权利要求8或9所述的柔性显示器件的制造方法,包含在焊盘部分的曝光焊盘电极步骤中曝光的焊盘电极是透明氧化传导层。
11.根据权利要求2、4和8中任一权利要求所述的柔性显示器件的制造方法,透明氧化传导层包括TO(氧化锡)、ITO(铟锡氧化物)、ITZO(铟锡锌氧化物)和IZO(铟锌氧化物)中的任一种。
12.根据权利要求1所述的柔性显示器件制造方法,形成显示器件的步骤包括:
形成平滑层,该平滑层平整显示器件形成的表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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