[发明专利]闪存器件的制造方法

说明书

本申请要求享有2006年12月21日在韩国提交的韩国专利申请No.10-2006-0131514的权益，在此引入其全部内容作为参考。

技术领域

本发明涉及一种闪存器件的制造方法，更具体地涉及一种能够在相邻栅极图案之间的层间绝缘薄膜中防止空隙生成的闪存器件的制造方法。

背景技术

如图1A所示，通过热氧化等方法在半导体衬底11之上和/或上方形成第一栅极绝缘薄膜13。随后在第一栅极绝缘薄膜13之上和/或上方顺序形成第一多晶硅薄膜15、第二栅极绝缘薄膜17以及第二多晶硅薄膜19。第二栅极绝缘薄膜17具有ONO(氧化物薄膜/氮化物薄膜/氧化物薄膜)结构。

第二多晶硅薄膜19、第二栅绝缘薄膜17、第一多晶硅薄膜15以及第一栅绝缘薄膜13随后可以使用光刻胶图案等通过光刻工艺形成栅极图案。此时，作为栅极图案，第一多晶硅薄膜15对应于标绘栅(plotting gate)以及第二多晶硅薄膜19对应于控制栅。

如图1B所示，可以通过顺序沉积具有约为150到250的厚度的氧化物薄膜形成第二栅极绝缘薄膜17，通过执行沉积工艺在半导体衬底11之上和/或上方形成具有约为150到250的厚度的氮化物薄膜以及形成具有约为500到700的厚度的氧化物薄膜。因此，ONO结构可以覆盖包括第一栅极绝缘薄膜13、第一多晶硅薄膜15、第二栅极绝缘薄膜17以及第二多晶硅薄膜19的栅极图案。随后，可以通过反应性离子蚀刻顺序回刻氧化物薄膜、氮化物薄膜以及氧化物薄膜在栅极图案的侧墙上形成第一间隔垫21、第二间隔垫23以及第三间隔垫25。

另外，可以使用栅极图案和第一间隔垫21、第二间隔垫23以及第三间隔垫25作为掩模执行离子注入工艺来将离子注入杂质注入到半导体衬底11上，从而形成杂质区27。第一间隔垫21、第二间隔垫23以及第三间隔垫25可以起分离栅极图案两侧的杂质区27的作用，从而使得他们不重叠。

接下来，可以通过CVD(化学气相沉积)等沉积BPSG(硼磷硅玻璃)、USG(未掺杂的硅酸盐玻璃)、PSG(硅酸磷玻璃)、BSG(硼磷硅玻璃)或FSG(掺氟的矽酸盐玻璃)来覆盖栅极图案，从而在半导体衬底11之上和/或上方形成前金属介质(PMD)薄膜29。

然而，上述的结构在栅极图案的侧墙上形成的第一、第二和第三间隔垫在相邻栅极图案之间具有较窄的空间这一点上是不利的。从而，当形成金属前介质薄膜时在栅极图案之间产生空隙。

发明内容

本发明实施方式涉及一种能够在相邻栅极图案之间的层间绝缘薄膜中防止空隙生成的闪存器件的制造方法。

本发明的实施方式涉及一种在形成金属前介质时，能够在相邻栅极图案之间的层间绝缘薄膜中防止空隙生成的闪存器件的制造方法。

本发明的实施方式涉及一种闪存器件的制造方法，至少包含以下步骤之一：在半导体衬底上形成一对栅极图案，每一个栅极图案具有含有栅极绝缘薄膜、标绘栅、第二栅极绝缘薄膜以及控制栅的多层结构；在每一个栅极图案的侧墙上都形成第一间隔垫和第二间隔垫；使用栅极图案、第一间隔垫以及第二间隔垫作为掩模通过将离子杂质注入到预定区域而形成杂质区；移除第一间隔垫和第二间隔垫其中之一；以及随后在含有栅极图案以及留有第一间隔垫或第二间隔垫的半导体衬底上形成金属前介质薄膜。

本发明的实施方式涉及一种闪存器件的制造方法，至少包含以下步骤之一：在半导体衬底上方形成第一栅极绝缘薄膜；在含有第一栅极绝缘薄膜的衬底上方顺序形成第一多晶硅薄膜、第二栅极绝缘薄膜以及第二多晶硅薄膜；在半导体衬底上方并且抵靠第一栅极绝缘薄膜、第一多晶硅薄膜、第二栅极绝缘薄膜和第二多晶硅薄膜的侧墙上形成第一间隔垫；在第一间隔垫上方形成第二间隔垫；使用第一间隔垫和第二间隔垫作为掩模通过将离子注入将杂质注入到预定区域形成杂质区；移除第二间隔垫；以及随后在半导体衬底上形成金属前介质薄膜。

本发明的实施方式涉及一种闪存器件的制造方法，至少包含以下步骤之一：在半导体衬底上形成多个栅极图案；在半导体衬底上方且贴着每个栅极图案的侧墙形成第一间隔垫，并且在该第一间隔垫上方形成第二间隔垫；在半导体衬底中以及相邻栅极图案之间形成杂质区；移除所述第二间隔垫；以及随后在含有栅极图案和第一间隔垫的半导体衬底上方形成金属前介质薄膜。

附图说明

实施例图1A到1B示出了闪存器件的制造方法；

实施例图2A到2C示出了根据本发明的实施方式的闪存器件的制造方法。

具体实施方式