[发明专利]闪存器件的制造方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

在半导体衬底上形成一对栅极图案，每一个栅极图案具有含有栅极绝缘薄膜、标绘栅、第二栅极绝缘薄膜以及控制栅的多层结构；

在每一个栅极图案的侧墙上都形成第一间隔垫和第二间隔垫；

使用所述栅极图案、第一间隔垫以及第二间隔垫作为掩模通过将离子杂质注入到预定区域形成杂质区；

移除所述第一间隔垫和第二间隔垫其中之一；

在含有所述栅极图案以及留有所述第一间隔垫或第二间隔垫的半导体衬底上形成金属前介质。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一间隔垫包含氧化薄膜。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氧化薄膜具有约150到250的厚度。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二间隔垫包含氮化物薄膜。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述氮化薄膜具有约500到1000的厚度。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，移除所述第一间隔垫和第二间隔垫的至少其中之一的步骤，只移除所述第二间隔垫。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，使用湿法蚀刻工艺移除所述第二间隔垫。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述湿法蚀刻工艺使用磷酸(H₃PO₄)。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述湿法蚀刻工艺在150到200℃之间的温度范围执行约10到20分钟。

10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所以干刻工艺移除所述第二间隔垫。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述干刻工艺包含化学下游干刻工艺。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述化学下游干刻工艺在常温、50到1000W的微波功率、10到1000帕斯卡的气压、O₂以50到500sccm的流速、CF₄气体以100到500sccm的流速以及N₂气以10到100sccm的流速的条件下，执行约10到100秒。

13.一种方法，包括：

在半导体衬底上形成第一栅极绝缘薄膜；

在含有所述第一栅极绝缘薄膜的衬底上顺序形成第一多晶硅薄膜、第二栅极绝缘薄膜以及第二多晶硅薄膜；

在半导体衬底上方并且抵靠所述第一栅极绝缘薄膜、第一多晶硅薄膜、第二栅极绝缘薄膜以及第二多晶硅薄膜形成第一间隔垫；

在所述第一间隔垫上方形成第二间隔垫；

使用所述第一间隔垫和第二间隔垫作为掩模通过将离子注入将杂质注入到预定区域形成杂质区；

移除所述第二间隔垫；以及

在所述半导体衬底上形成金属前介质。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，使用热氧化方法形成所述第一栅极绝缘薄膜。

15.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述第一多晶硅薄膜对应于栅极图案结构的标绘栅，所述第二多晶硅薄膜对应于栅极图案结构的控制栅。

16.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述第二栅极绝缘薄膜具有ONO结构。

17.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述第一栅极绝缘薄膜包含沟道氧化物薄膜。

18.一种方法，包括：

在半导体衬底上形成多个栅极图案；

在半导体衬底上方并且抵靠每一个栅极图案的侧墙形成第一间隔垫，并在所述第一间隔垫上方形成第二间隔垫；

在半导体衬底中以及相邻栅极图案之间形成杂质区；

移除所述第二间隔垫；以及随后

在含有栅极图案和第一间隔垫的半导体衬底上方形成金属前介质薄膜。

19.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，每一个栅极图案包含第一栅极绝缘薄膜、在所述第一栅极绝缘薄膜上方形成的标绘栅、在所述标绘栅上方形成的第二栅极绝缘薄膜以及在第二栅极绝缘薄膜上方形成的控制栅。

20.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，移除所述第二间隔垫包含在常温、50到1000W的微波功率、10到1000帕斯卡的气压、O₂以50到500sccm的流速、CF₄气体以100到500sccm的流速以及N₂气以10到100sccm的流速的条件下，执行约10到100秒。