[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括：

一栅线层，包括在基板上形成的一栅线，从所述栅线分离的一栅极以及在所述栅线的末端形成的一栅极焊盘；

在所述栅线层上形成的一栅极绝缘薄膜；

在所述栅极上方的所述栅极绝缘薄膜上形成的一半导体层；

一数据线层，包括与所述栅线交叉的数据线，在所述半导体层的相对侧形成的源极和漏极，以及在所述数据线末端形成的数据焊盘；

与所述漏极接触的一像素电极；

与所述栅极焊盘和所述数据焊盘接触的第一和第二防氧化薄膜；以及

在所述数据线层上沉积的一至少双层钝化薄膜；其中

所述至少双层钝化薄膜的最上层在不包括形成像素电极以及第一和第二防氧化薄膜的区域的剩余区域形成。

2.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述至少双层钝化薄膜包括顺序沉积的第一到第三钝化薄膜以覆盖所述数据线层。

3.根据权利要求2所述的基板，其特征在于，

所述第一钝化薄膜由诸如氮化硅的无机绝缘材料制成，

所述第三钝化薄膜由诸如二氧化硅的无机绝缘材料制成，以及

所述第二钝化薄膜由诸如苯并环丁烯或丙烯酸树脂的有机绝缘材料制成。

4.根据权利要求3所述的基板，其特征在于，所述数据线与所述像素电极的边缘重叠。

5.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述至少双层钝化薄膜包括顺序沉积的第一和第二钝化薄膜以覆盖所述数据线层。

6.根据权利要求5所述的基板，其特征在于，

所述第一钝化薄膜由诸如氮化硅或氧化硅的无机绝缘材料制成，以及

所述第二钝化薄膜由诸如二氧化硅的无机绝缘材料制成。

7.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，还包括：

在所述数据线和所述数据焊盘下设置的材料，与形成所述半导体层具有相同的图案，其中

所述半导体层的边缘与所述源极和漏极的边缘相一致。

8.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述像素电极以及所述第一和第二防氧化薄膜位于相同的层。

9.根据权利要求8所述的基板，其特征在于，

所述像素电极与所述漏极通过由所述至少双层钝化薄膜形成的一接触孔接触，

所述第一防氧化薄膜与所述栅极焊盘通过由所述至少双层钝化薄膜和所述栅极绝缘薄膜形成的第一开口区接触，以及

所述第二防氧化薄膜与所述数据焊盘通过由所述至少双层钝化薄膜形成的第二开口区接触。

10.根据权利要求9所述的基板，其特征在于，所述接触孔通过在至少双层钝化薄膜和所述像素电极重叠的区域移除所述至少双层钝化薄膜形成。

11.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括：

在基板上形成包括一栅线、一栅极和一栅极焊盘的一栅线层；

在包括所述栅线层的基板的前表面上形成一栅极绝缘薄膜；

形成与所述栅极重叠的一半导体层；

形成包括与所述栅线交叉的一数据线、在所述半导体层的相对面设置的源极和漏极，以及在所述数据线末端形成的一数据焊盘的一数据线层；

在包括所述数据线层的基板的前表面上形成一至少双层钝化薄膜；

在所述至少双层钝化薄膜的最上层形成一光刻胶图案；

使用光刻胶图案作为掩模有选择地蚀刻所述至少双层钝化薄膜以形成接触孔和第一及第二开口区，同时，在水平方向过度地蚀刻所述光刻胶图案下的至少双层钝化薄膜的最上层；

在包括所述光刻胶的基板的前表面上沉积一导电材料；以及

通过剥离所述光刻胶构图所述导电材料，以形成通过接触孔接触所述漏极的像素电极，以及通过所述第一和第二开口区接触所述栅极焊盘和数据焊盘的第一和第二防氧化薄膜。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，

在形成接触孔和第一及第二开口区的区域完全移除所述光刻胶图案，

在形成所述像素电极的区域，所述光刻胶图案具有中间阶，以及

在所述剩余区域不移除所述光刻胶图案。