[发明专利]用于交叉点存储器的薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

在部分衬底上的栅极；

在该衬底和栅极上的栅极绝缘层；

在该栅极之上的该栅极绝缘层上的包括氧化锌(ZnO)的沟道；

接触该沟道相对侧面的源极和漏极；

其中该薄膜晶体管被用作选择晶体管用于交叉点存储器。

2.根据权利要求1的薄膜晶体管，其中该沟道由包括ZnO和从镓(Ga)、铟(In)、锡(Sn)、铝(Al)及其组合构成的组中选择的至少一种的化合物形成。

3.根据权利要求2的薄膜晶体管，其中该化合物由氧化镓(Ga₂O₃)、氧化铟(In₂O₃)和ZnO形成。

4.根据权利要求1的薄膜晶体管，其中该源极由金属或导电氧化物形成。

5.根据权利要求4的薄膜晶体管，其中该金属是从钼(Mo)、铝(Al)、钨(W)、铜(Cu)及其组合构成的组中选择的至少一种，以及

该导电氧化物是从氧化铟锌(InZnO)、氧化铝锌(AlZnO)及其组合构成的组中选择的至少一种。

6.根据权利要求1的薄膜晶体管，其中该漏极由金属或导电氧化物形成。

7.根据权利要求6的薄膜晶体管，其中该金属是从钼(Mo)、铝(Al)、钨(W)、铜(Cu)及其组合构成的组中选择的至少一种，以及

该导电氧化物是从氧化铟锌(InZnO)、氧化铝锌(AlZnO)及其组合构成的组中选择的至少一种。

8.根据权利要求1的薄膜晶体管，其中该沟道具有20nm至200nm的厚度。

9.一种薄膜晶体管的制造方法，包括：

通过在部分衬底上沉积导电材料并图形化该沉积的导电材料形成栅极；

在该衬底和该栅极上沉积栅极绝缘层；

通过在该栅极绝缘层上沉积包括氧化锌(ZnO)的沟道材料并图形化该泷积的沟道材料，在该栅极之上的部分该栅极绝缘层上形成沟道；和

通过在该沟道和该栅极绝缘层上沉积导电材料并图形化该导电材料，形成接触该沟道相对侧面的源极和漏极，

其中该薄膜晶体管用作选择晶体管用于交叉点存储器。

10.根据权利要求9的方法，其中该沟道通过使用包括ZnO和从镓(Ga)、铟(In)、锡(Sn)、铝(Al)及其组合构成的组中选择的至少一种的化合物靶溅射形成。

11.根据权利要求10的方法，其中该化合物靶包括氧化镓(Ga₂O₃)、氧化铟(In₂O₃)和ZnO。

12.根据权利要求9的方法，其中该沟道通过使用ZnO和从镓(Ga)、铟(In)、锡(Sn)、铝(Al)及其组合构成的组中选择的至少一种作为靶的共溅射形成。

13.根据权利要求9的方法，其中该源极是金属或导电氧化物。

14.根据权利要求13的薄膜晶体管，其中该金属是从钼(Mo)、铝(Al)、钨(W)、铜(Cu)及其组合构成的组中选择的至少一种，以及

该导电氧化物是从氧化铟锌(InZnO)、氧化铝锌(AlZnO)及其组合构成的组中选择的至少一种。

15.根据权利要求9的薄膜晶体管，其中该漏极由金属或导电氧化物形成。

16.根据权利要求15的薄膜晶体管，其中该金属是从钼(Mo)、铝(Al)、钨(W)、铜(Cu)及其组合构成的组中选择的至少一种，以及

该导电氧化物是从氧化铟锌(InZnO)、氧化铝锌(AlZnO)及其组合构成的组中选择的至少一种。

17.根据权利要求10的方法，其中该沟道具有20nm至200nm的厚度。