[发明专利]多级半导体存储装置及其编程方法有效

专利信息
申请号: 200710300427.3 申请日: 2007-12-27
公开(公告)号: CN101211661A 公开(公告)日: 2008-07-02
发明(设计)人: 玄在雄;赵庆来;朴奎灿;朴允童;李忠浩;边成宰 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C16/10 分类号: G11C16/10
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 代理人: 韩明星;常桂珍
地址: 韩国京畿道*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 多级 半导体 存储 装置 及其 编程 方法
【权利要求书】:

1.一种将n比特数据编程到半导体存储装置的方法,包括:

将所述数据的第k-1比特存储到第一锁存器,其中,k为大于2的自然数;

将存储在第一锁存器中的所述数据的第k-1比特存储到第三锁存器;

将所述数据的第k比特存储到第一锁存器;

将存储在第一锁存器中的所述数据的第k比特存储到第二锁存器;

参照存储在第三锁存器中的所述数据的第k-1比特的数据存储状态,将存储在第二锁存器中的所述数据的第k比特写入存储单元。

2.如权利要求1所述的方法,还包括:

对k值和n值进行比较,n为大于3的自然数,其中,如果k值小于n值,则将通过将k加“1”获得的值存储到第三锁存器。

3.如权利要求1所述的方法,还包括:

将所述数据的第一比特存储在第一锁存器中。

4.如权利要求3所述的方法,还包括:

将存储在第一锁存器中的所述数据的第一比特存储到第二锁存器和第三锁存器。

5.如权利要求4所述的方法,还包括:

将所述数据的第二比特存储到第一锁存器。

6.如权利要求3所述的方法,还包括:

将所述数据的第一比特存储到第二锁存器;

将存储在第二锁存器中的所述数据的第一比特写入存储单元。

7.如权利要求6所述的方法,还包括:

将存储在第一锁存器中的所述数据的第二比特存储到第三锁存器。

8.一种将n比特数据编程到半导体存储装置的方法,包括:

从第一锁存器输出已写入存储单元的所述数据的第一比特;

将所述数据的第一比特存储到第三锁存器;

将所述数据的第二比特存储到第一锁存器;

从第一锁存器输出所述数据的第二比特;

将所述数据的第二比特存储到第二锁存器;

参照存储在第三锁存器中的所述数据的第一比特的数据存储状态,将存储在第二锁存器中的所述数据的第二比特写入存储单元。

9.如权利要求8所述的方法,其中,所述第一比特和第二比特被写入至少一个存储单元中。

10.一种半导体存储装置,包括:

至少一个存储单元,用于存储n比特数据,其中,n为大于3的自然数;

第一锁存器,用于接收并锁存所述n比特数据,并输出所述n比特数据;

第二锁存器,用于从第一锁存器接收并锁存所述数据的第k比特,并输出所述数据的第k比特,其中,k为大于2的自然数;

第三锁存器,用于从第一锁存器接收并锁存所述数据的第k-1比特,并输出所述数据的第k-1比特,

其中,参照第三锁存器锁存的所述数据的第k-1比特的数据存储状态,将第二锁存器锁存的所述数据的第k比特写入至少一个存储单元中。

11.如权利要求10所述的存储装置,其中,

第一锁存器用于将所述数据的第k比特输出到第三锁存器,接收所述数据的第k+1比特,并将所述数据的第k+1比特输出到第二锁存器。

12.如权利要求10所述的半导体存储装置,其中,所述至少一个存储单元为非易失性存储单元。

13.如权利要求12所述的半导体存储装置,其中,所述非易失性存储单元为多级闪存单元。

14.如权利要求13所述的半导体存储装置,其中,所述多级闪存单元具有根据阈值电压划分的2n个数据存储状态。

15.如权利要求10所述的半导体存储装置,其中,所述数据的第k-1比特和第k比特被写入至少一个存储单元中。

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