[发明专利]基板制作方法无效

专利信息
申请号: 200710201967.6 申请日: 2007-10-09
公开(公告)号: CN101409320A 公开(公告)日: 2009-04-15
发明(设计)人: 王君伟;徐弘光;江文章 申请(专利权)人: 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司;沛鑫半导体工业股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L21/48
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201600上海市松江区松*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 制作方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种基板制作方法,尤其涉及一种发光二极管的基板制作方法。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode,LED)是一种固态半导体发光元件,其利用PN结(PN junction)内分离的两种载子,即带负电的电子与带正电的电洞相互结合并释放光子而发光工作。发光二极管具有发光效率高,体积小、寿命长、污染低等特性,于照明、背光及显示等领域具有广阔的应用前景。发光二极管的研究可参阅Rong-Ting Huang等人在1998年IEEE Transactions onElectron Devices上发表的论文Design and fabrication of AlGaInP LED arraywith integrated GaAs decode circuits。

发光二极管内道常设置辅助元件,如齐纳二极管(zener diode)等以扩充其使用功能,如增加其实用性及使用过程中的稳定性。然而,现有的齐纳二极管等辅助元件,其表面通常设置为黑色以利于导热,因此在发光二极管内设置所述辅助元件以扩充发光二极管使用功能的同时,其不可避免地因为辅助元件产生吸光作用而导致发光二极管的发光效率降低。

因此,本发明的目的在于提供一种发光二极管的基板制作方法,采用该方法制作出的基板一方面可设置辅助元件,从而扩充发光二极管的使用功能,另一方面,可避免设置的辅助元件吸收发光芯片发出的光造成发光二极管的发光效率降低的现象。

发明内容

下面将以实施例说明一种发光二极管的基板制作方法。

一种用于发光二极管的基板制造方法,其包括:提供一个第一基板,所述第一基板包括一第一表面,从所述第一表面向第一基板内开设一收容孔以收容一辅助元件;提供一个第二基板,所述第二基板包括一第二表面,所述第二表面位于所述第二基板的一侧;堆叠第一基板与第二基板;共烧所述第一基板与所述第二基板,使第一基板与第二基板相连结以形成一衬底,所述第一表面与第二表面分别位于所述衬底相对的两侧。

相对于现有技术,所述基板制作方法通过在第一基板上开设收容孔,以及共烧第一基板与第二基板以形成一衬底,一方面,可通过收容孔收容辅助元件,从而利用辅助元件扩充发光二极管的使用功能,另一方面,可避免辅助元件吸收发光芯片发出的光造成发光二极管的发光效率降低的现象。

附图说明

图1是本发明实施例提供的基板制作方法中在第一基板上制作第一导电孔,第一导热孔及收容孔的结构示意图。

图2是在图1所示的第一基板上形成电极的结构示意图。

图3是本发明实施例提供的基板制作方法中在第二基板上制作第二导电孔及第二导热孔的结构示意图。

图4是在图3所示的第二基板上形成电极的结构示意图。

图5是在图3所示的第二基板上形成电极的剖面示意图。

图6是本发明实施例提供的基板制作方法中堆叠并共烧第一基板与第二基板以形成一衬底的结构示意图。

图7是本发明实施例提供的基板制作方法中堆叠并共烧第一基板与第二基板以形成一衬底的剖面示意图。

图8是在图7所示的衬底上设置防静电元件以形成一发光二极管的结构示意图。

图9是在图7所示的衬底上设置光强感测器以形成一发光二极管的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明实施例作进一步的详细说明。

本发明实施例提供的一种基板制作方法,其包括以下步骤:

(1)提供一个第一基板,所述第一基板包括一第一表面,从所述第一表面向第一基板内开设一收容孔以收容一辅助元件。

请参阅图1,所述第一基板10可大致为一个长方体结构,其包括一第一表面100,且可优选地以绝缘性良好的陶瓷材料制成。所述陶瓷材料可选择性地采用氧化铝(Al2O3),氧化镁(MgO)、氮化铝(AlN),氮化硼(BN),氧化硅(SiO2)、氧化铍(BeO)等材质。当然,所述第一基板10也可采用其它绝缘性良好的材料,如玻璃纤维等制成。

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