[发明专利]GaN基发光二极管表面粗化的处理方法

权利要求书

1.一种GaN基发光二极管表面粗化的处理方法，其具体实现步骤如下：

(1)在600℃～750℃的低温条件下生长GaN基LED外延片中的p型GaN帽层，使该帽层的位错沿垂直于外延表面的方向传播，不发生弯曲，从而使该帽层的位错密度增大而不影响器件的光电特性；

(2)在设定的腐蚀温度和时间下用熔融的KOH腐蚀LED外延片，p型GaN层内高密度的垂直于外延表面的位错被选择性腐蚀，在器件表面形成密集的形状规则的腐蚀坑。

2.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管表面粗化的处理方法，其特征在于，所说的GaN基LED外延片，是采用常规的GaN基LED结构，用MOCVD技术制备，其结构从下至上依次为衬底(1)、缓冲层(2)、未掺杂GaN层(3)、n型GaN层(4)、量子阱(5)、p型AlGaN层(6)和p型GaN层(7)，其中，p型GaN层的厚度为50nm～200nm；

3.根据权利要求1所述的GaN基发光二极管表面粗化的处理方法，其特征在于，所说的腐蚀温度和时间，应根据腐蚀后样品表面形貌进行调整；对于不熟悉其特性的新工艺条件下生长的外延片，应先进行抽样，初次腐蚀可选取的温度范围为220℃～250℃，时间范围为2min～4min；若腐蚀坑深度超过p型GaN层厚度的1/2，应降低腐蚀温度或减小腐蚀时间，否则可能影响器件的光电特性；在满足腐蚀坑深度要求的前提下，若相邻腐蚀坑的平均间距大于0.2μm，应维持腐蚀温度不变，增大腐蚀时间，继续进行腐蚀，直至满足要求。