[发明专利]一种从堆叠式栅极闪存中去除介质残余的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种闪存的制造方法，特别涉及一种从堆叠式栅极闪存中去除介质残余的方法。 

背景技术

在传统的堆叠式栅极闪存的制造过程中，制造时通常是首先形成控制栅极，而后形成外围电路。如图1和图2所示，由于浮置栅极的侧壁与其顶部的氧化物-氮化物-氧化物层厚度的差异，使得单元栅极在蚀刻时，浮置栅极的侧壁上的氧化物-氮化物-氧化物(ONO)无法彻底蚀刻干净，残余的ONO称之为ONO围篱(fence)，从而造成控制栅极或浮置栅极沿着ONO围篱底部也有残留，严重时控制栅极或浮置栅极的残留就会使单元栅极12与单元栅极13之间或单元栅极12与选择栅极11或单元栅极13与选择栅极14之间发生短路。电性上看，闪存装置无法正常编程或擦除，合格率测试时，会出现大量的整体擦除(mass erase)或检查出主板出错(check board fail)。 

发明内容

鉴于上述，本发明的目的在于通过变换蚀刻顺序，在不增加额外光罩的条件下将ONO fence及多晶硅残留彻底去除，从而显著改善合格率。 

本发明提供了一种从堆叠式栅极闪存中去除介质残余的方法，包括： 

第一步，提供一衬底，该衬底上有沟槽； 

第二步，在衬底上依次形成穿隧氧化层，浮置栅极层，栅间介电层； 

第三步，形成导体层，并对该导体层进行蚀刻，首先蚀刻形成闪存单元的外围电路，而后进行单元栅极的蚀刻。 

作为优选，上述栅间介电层的材料为氧化物-氮化物-氧化物。 

作为优选，上述第三步中，利用两个光罩分别对导体层进行蚀刻，第一个光罩的图案定义闪存单元的外围电路，并使浮置栅极层的侧壁上不会有栅间介质层残余。 

作为优选，上述第一个光罩和第二个光罩的图案部分重叠。 

本发明的有益效果在于，仅调换光罩的顺序，便可以在不增加额外光罩的情况下将例如ONO的介质残余彻底去除，显著改善合格率。 

下面结合附图，对本发明的具体实施方式作进一步的详细说明。对于所属技术领域的技术人员而言，从对本发明的详细说明中，本发明的上述和其他目的、特征和优点将显而易见。 

附图说明

图1为现有技术中的堆叠栅极闪存制造过程的示意图。 

图2为沿图1的A-A剖面图。 

图3为本发明一较佳实施例的堆叠栅极闪存制造过程的示意图。 

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明所述的一种从堆叠式栅极闪存中去除介质残余的方法作进一步的详细说明。 

本发明一较佳实施例的堆叠栅极闪存制造过程如图3所示，在堆叠式栅极闪存的制造过程中，首先在衬底上形成沟槽，可以利用浅沟道隔离法(STI)形成上述沟槽，定义出有源区，而后在衬底上形成穿隧氧化层(tunnel oxide)，浮置栅极层(floating gate)，栅间介电层，该栅间介电层可以是氧化物-氮化物-氧化物层(ONO)，当然也可以是任意合适的介质层，而后形成导体层，并对该导体层进行蚀刻，首先利用光罩P1对准并蚀刻，光罩P1的形状在图中表示为虚线定义的部分，其定义出上述闪存单元的外围电路，并使导体层中容易形成ONO围篱的部分定义出来，从而使浮置栅极的侧壁上不会有ONO残余，而后利用光罩P0进行单元栅极的蚀刻，光罩P1与单元栅极光罩的图案在单元栅极中间的位置部 分重叠，此时，闪存单元中极易形成ONO围篱(fence)的区域已被同时蚀刻，因而避免了ONO围篱的形成，再进行单元栅极12和13的对准和蚀刻，从而充分蚀刻ONO围篱区域中的ONO，多晶体残留的现象便不会发生，从而提高合格率。不会使单元栅极32与单元栅极33之间或单元栅极32与选择栅极31或单元栅极33与选择栅极34之间发生短路。 

以上所述仅为本发明的较佳实施例，并非用来限定本发明的实施范围；如果不脱离本发明的精神和范围，对本发明进行修改或者等同替换的，均应涵盖在本发明的权利要求的保护范围当中。